西安交通大学郭诚获国家专利权
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龙图腾网获悉西安交通大学申请的专利一种类Ω形状微同轴芯片结构、射频测试校准系统及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120453655B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510965241.8，技术领域涉及：H01P3/06；该发明授权一种类Ω形状微同轴芯片结构、射频测试校准系统及方法是由郭诚;刘子欣;高志明;马玉祥;温潇竹设计研发完成，并于2025-07-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种类Ω形状微同轴芯片结构、射频测试校准系统及方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种超宽带同轴互联结构，属微波射频技术领域，解决传统接口异形配对导致的安装繁琐、误插风险及高频性能受限问题。其创新在于采用类Ω形矩形同轴传输线与SU‑8光刻胶介质支撑结合，实现圆形矩形同轴及波导间无公母区分的高效连接。类Ω结构中段弹性缓冲区可吸收插拔时内导体形变，提升机械稳定性和耐用性。接口两端设置空腔结构抑制寄生耦合，内导体凸出设计增强电接触，保障高频段阻抗匹配及信号完整性。该结构支持多形态互联，在DC至110GHz实测中展现优异射频性能，理论上限达300GHz，适配多种接口、低损耗和简易组装优势。特别适用于高频测试与封装场景，为超宽带异构互联提供了可靠、低损耗的系统解决方案，显著降低操作复杂度并提升系统可靠性。
本发明授权一种类Ω形状微同轴芯片结构、射频测试校准系统及方法在权利要求书中公布了：1.一种类Ω形状微同轴芯片结构，其特征在于，包括依次连接的第一矩形同轴接口（1）、第一水平矩形同轴线（3）、弯曲矩形同轴线（4）、第二水平矩形同轴线（5）和第二矩形同轴接口（2），第一水平矩形同轴线（3）、弯曲矩形同轴线（4）和第二水平矩形同轴线（5）为内导体，内导体通过介质支撑结构（14）悬空设置在外导体内，第一矩形同轴接口（1）的外导体向内凹设定深度形成空腔结构（12），第二矩形同轴接口（2）处的内导体相对外导体凸出设定长度形成凸出结构（13）；第一水平矩形同轴线（3）和第二水平矩形同轴线（5）与弯曲矩形同轴线（4）连接处均用截面相同的弧形内导体平滑过渡。
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