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龙图腾网获悉宁波大学;浙江宇视科技有限公司申请的专利极端环境下提升CMOS图像传感器动态范围的开关电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120454700B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510965900.8，技术领域涉及：H03K17/687；该发明授权极端环境下提升CMOS图像传感器动态范围的开关电路是由姜求平;李聪廷;任文琦;李翔宇;吴彬彬;邓黄燕设计研发完成，并于2025-07-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本极端环境下提升CMOS图像传感器动态范围的开关电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种极端环境下提升CMOS图像传感器动态范围的开关电路，包括采样管、自举电容、控制模块、反相器、寄生电容释放模块、全差分模块以及采样通路开关模块，采样管为NMOS管，其源极为开关电路的输入端，漏极为开关电路的输出端，栅极与控制模块连接，受自举电容的充电电压控制，反相器对时钟信号进行反相后引入控制模块，使控制模块的工作时序受到互补的一对时钟信号控制，寄生电容释放模块在开关电路采样完成后导通，以释放采样管的栅极电荷，全差分模块为开关电路引入另一个输入端，使开关电路形成全差分输入结构，采样通路开关模块使输入信号通向开关电路的输出端这条路径形成低阻导通路径；优点是线性度较高，开关速度快。

本发明授权极端环境下提升CMOS图像传感器动态范围的开关电路在权利要求书中公布了：1.一种极端环境下提升CMOS图像传感器动态范围的开关电路，在时钟信号CLK1控制下实现导通状态和关闭状态的切换，其包括采样管、用于存储采样管的栅极驱动电压的自举电容以及用于控制自举电容充放电路径的控制模块，采样管为NMOS管，其源极为开关电路的输入端，漏极为开关电路的输出端，栅极与控制模块连接，受自举电容的充电电压控制，其特征在于还包括反相器、寄生电容释放模块、全差分模块以及采样通路开关模块；反相器的输入端接入时钟信号CLK1，用于对时钟信号CLK1进行反相后引入控制模块，使控制模块的工作时序受到互补的一对时钟信号控制；寄生电容释放模块用于在开关电路采样完成后导通，以释放采样管的栅极电荷；全差分模块用于为开关电路引入除采样管的源极之外的另一个输入端，使开关电路形成全差分输入结构；采样通路开关模块用于使输入信号通向开关电路的输出端这条路径形成低阻导通路径；控制模块包括第一MOS管至第九MOS管；第一MOS管、第二MOS管、第五MOS管、第六MOS管和第八MOS管均为NMOS管，第三MOS管、第四MOS管、第七MOS管和第九MOS管均为PMOS管；第一MOS管、第三MOS管和第九MOS管的栅极、第四MOS管和第五MOS管的漏极均与采样管的栅极连接，第一MOS管的源极与采样管的源极连接，第一MOS管、第二MOS管和第九MOS管的漏极、第八MOS管的源极均与自举电容的一端连接，第二MOS管的栅极与反相器的输出端连接，第二MOS管的源极接地，第三MOS管和第四MOS管的源极均与自举电容的另一端连接，第三MOS管的漏极、第七MOS管的源极和第五MOS管的栅极均接入电源电压VDD，第四MOS管的栅极、第九MOS管的源极、第七MOS管和第八MOS管的漏极连接，第五MOS管的源极和第六MOS管的漏极连接，第六MOS管、第七MOS管和第八MOS管的栅极接入时钟信号CLK1，第六MOS管的源极连接地；寄生电容释放模块包括第十MOS管，第十MOS管为PMOS管，第十MOS管的栅极接入时钟信号CLK1，源极接入电源电压VDD，漏极与第六MOS管的漏极和第五MOS管的源极的连接端连接；采样通路开关模块包括第十一MOS管与第十二MOS管，第十一MOS管为NMOS管，第十二MOS管为PMOS管，第十一MOS管的栅极和第十二MOS管的栅极均接入时钟信号CLK1，第十一MOS管的源极、第十二MOS管的漏极与第一MOS管、第二MOS管和第九MOS管的漏极、第八MOS管的源极以及自举电容的一端的连接端连接，第十一MOS管的漏极与采样管的栅极连接，第十二MOS管的源极与采样管的源极连接。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人宁波大学;浙江宇视科技有限公司，其通讯地址为：315211 浙江省宁波市江北区风华路818号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。