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龙图腾网获悉安徽大学;合肥中科君达视界技术股份有限公司申请的专利基于SRAM的浮点型指数比较电路及其芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120447865B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510940272.8，技术领域涉及：G06F7/485；该发明授权基于SRAM的浮点型指数比较电路及其芯片是由彭春雨;刘浩;李志豪;卢文娟;胡薇;赵强;高珊;吴秀龙设计研发完成，并于2025-07-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于SRAM的浮点型指数比较电路及其芯片在说明书摘要公布了：本申请涉及一种基于SRAM的浮点型指数比较电路及其芯片，其中，该浮点型指数比较电路包括阵列分布的若干指数运算单元，每个指数运算单元包括进位传播全加器和15T‑SRAM存储单元。与相关技术相比，通过在传统存储阵列中添加辅助晶体管集成比较、加法功能，实现存内指数比较找最大值、减法求移位量，相较于传统指数计算方法减少了数据迁移功耗；同时在指数读出阶段实现对异常指数值感知，并根据感知结果动态跳过冗余移位量计算流程，优化能量消耗；相较于现有部分指数比较电路采用单bit串行比较，所提出的指数比较电路实现高速并行最大值比较，减法求移位量操作，为浮点数指数处理提供低功耗与高效并行的解决方案，即解决了目前的浮点型指数比较电路存在计算效率低的问题。

本发明授权基于SRAM的浮点型指数比较电路及其芯片在权利要求书中公布了：1.一种基于SRAM的浮点型指数比较电路，其特征在于，包括阵列分布的若干指数运算单元，每个指数运算单元包括进位传播全加器和15T-SRAM存储单元； 同行的15T-SRAM存储单元对应有同一组信号线ALL_0、ALL_1和ENB_SPARE且同组的ALL_0、ALL_1分别接同一个或非门的两个输入端，同列的15T-SRAM存储单元对应有同一组信号线MAXB和ENB_COMPARE，MAXB通过反相器接信号线MAX； 15T-SRAM存储单元包括6T-SRAM存储单元和NMOS管N5至N11以及PMOS管P3和P4，6T-SRAM存储单元具有存储节点Q和QB；N5的栅极、源极和漏极分别接Q、对应行的ENB_SPARE和ALL_0；N6的栅极、源极和漏极分别接QB、对应行的ENB_SPARE和ALL_1，N7的栅极、源极和漏极分别接Q、地线和N8的漏极，N8的栅极和源极分别接P3的漏极和对应列的MAXB；N9的栅极、源极和漏极分别接对应列的MAX、QB和N10的漏极；N10的栅极和源极分别接对应列的MAXB和Q；N11的栅极、源极和漏极分别接N10的漏极、地线和P4的漏极；P3的栅极和源极分别接对应列的ENB_COMPARE和P4的源极，P4的栅极接N11的栅极； 进位传播全加器的输入端口A和B以及供电端VDD分别接对应的QB、对应列的MAX和对应行的或非门的输出端； 在同行中，上一级15T-SRAM存储单元中P4的漏极连接下一级15T-SRAM存储单元中N8的栅极，上一级进位传播全加器的进位输出端Cout连接后一级进位传播全加器的进位输入端Cin。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人安徽大学;合肥中科君达视界技术股份有限公司，其通讯地址为：230601 安徽省合肥市经开区九龙路111号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。