合肥晶合集成电路股份有限公司杨杰获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利一种半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120456556B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510933785.6，技术领域涉及：H10B41/41；该发明授权一种半导体器件及其制备方法是由杨杰;郭哲劭;郭廷晃设计研发完成，并于2025-07-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体器件及其制备方法，半导体器件的制备方法包括以下步骤：在存储区和外围区的衬底上均形成有间隔设置的伪栅极结构，在存储区和外围区中，相邻伪栅极结构间设有凹槽，伪栅极结构由下至上包括多晶硅层、第一硬掩模层和第二硬掩模层，外围区的第二硬掩模层的厚度大于存储区的第二硬掩模层的厚度；去除第二硬掩模层，将部分厚度的第一硬掩模层转化为氮氧化硅硬掩模层，使得存储区的氮氧化硅硬掩模层的上表面和外围区的氮氧化硅硬掩模层的上表面在同一水平面上，这样在平坦化处理所述介质层时存储区和外围区没有台阶，从而有利于提高半导体器件的厚度均一性，进而提高了WAT测试的均一性以及器件良率。
本发明授权一种半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供衬底，所述衬底包括存储区和外围区，在所述存储区和外围区的衬底上均形成有间隔设置的伪栅极结构，分别在所述存储区和外围区中，相邻所述伪栅极结构之间设有凹槽，所述伪栅极结构由下至上依次包括多晶硅层、第一硬掩模层和第二硬掩模层，其中，位于所述外围区的第二硬掩模层的厚度大于位于所述存储区的第二硬掩模层的厚度； 去除所述第二硬掩模层，并将部分厚度的所述第一硬掩模层转化为氮氧化硅硬掩模层； 在所述凹槽中填充介质层，所述介质层的上表面高于所述伪栅极结构的上表面； 平坦化处理所述介质层，并保留所述伪栅极结构中部分厚度的第一硬掩模层。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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