深圳市联润丰电子科技有限公司黄梓泓获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市联润丰电子科技有限公司申请的专利一种用于实现存储芯片的封装测试方法及系统获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120259301B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510736524.5,技术领域涉及:G06T7/00;该发明授权一种用于实现存储芯片的封装测试方法及系统是由黄梓泓;梁华清;郑涛设计研发完成,并于2025-06-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用于实现存储芯片的封装测试方法及系统在说明书摘要公布了:本发明提供了一种用于实现存储芯片的封装测试方法及系统,涉及存储芯片技术领域,方法包括:采集待封装存储芯片的外观图像;基于纹理特征差异和结构特征差异对外观图像进行分类,确定待封装存储芯片的存储芯片类别;根据存储芯片类别选择相对应的封装类型对待封装存储芯片进行封装,得到目标存储芯片;对目标存储芯片外观图像进行缺陷识别,得到包括不同外观缺陷类别的外观缺陷集;通过测试设备对目标存储芯片进行性能测试,得到包括不同性能指标的性能参数集;结合外观缺陷集和性能参数集,计算目标存储芯片的品质分数;根据品质分数对目标存储芯片进行标记,完成待封装存储芯片的封装测试。提升封装测试自动化能力和产品良率。
本发明授权一种用于实现存储芯片的封装测试方法及系统在权利要求书中公布了:1.一种用于实现存储芯片的封装测试方法,其特征在于,包括: S1:采集待封装存储芯片的外观图像; S2:基于纹理特征差异和结构特征差异对所述外观图像进行分类,确定所述待封装存储芯片的存储芯片类别;具体包括:S201:将所述外观图像转换为灰度图;S202:利用基于灰度图二阶导数建立描述外观图像纹理特征的工艺特征向量;S203:通过极坐标变换算法建立用于消除位置敏感性的结构特征向量;S204:通过正交训练获取不同存储芯片类别的工艺标准模板向量和结构标准模板向量;S205:结合所述工艺特征向量与所述工艺标准模板向量的相对关系,所述结构特征向量与所述结构标准模板向量的相对关系,基于正交投影原理对所述外观图像进行分类,得到所述待封装存储芯片的存储芯片类别; 所述S202具体包括:S2021:利用基于所述灰度图二阶导数的自适应频带权重项提取所述外观图像的纹理加权频谱;S2022:基于所述纹理加权频谱建立具有高频能量聚集度和纹理加权频谱熵的工艺特征向量; 所述S203具体包括:S2031:以灰度图中心为极点,将笛卡尔坐标映射至极坐标;S2032:对极点圆周进行灰度积分,获取径向角度联合分布;S2033:计算所述灰度图在不同极坐标半径的径向分布熵;S2034:结合所述径向角度联合分布,计算所述灰度图在不同离散极坐标角度的角度自相关值;S2035:根据所述径向分布熵和所述角度自相关值建立所述结构特征向量; S3:根据所述存储芯片类别选择相对应的封装类型对所述待封装存储芯片进行封装,得到目标存储芯片; S4:采集目标存储芯片外观图像; S5:对所述目标存储芯片外观图像进行缺陷识别,得到包括不同外观缺陷类别的外观缺陷集; S6:通过测试设备对所述目标存储芯片进行性能测试,得到包括不同性能指标的性能参数集; S7:结合所述外观缺陷集和所述性能参数集,计算所述目标存储芯片的品质分数; S8:根据所述品质分数对所述目标存储芯片进行标记,完成所述待封装存储芯片的封装测试。
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