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龙图腾网获悉湖北九峰山实验室申请的专利一种宽禁带半导体沟槽IGBT器件结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119545825B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411715915.0，技术领域涉及：H10D12/00；该发明授权一种宽禁带半导体沟槽IGBT器件结构及其制作方法是由成志杰;袁俊;郭飞;王宽;吴阳阳;陈伟设计研发完成，并于2024-11-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种宽禁带半导体沟槽IGBT器件结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种宽禁带半导体沟槽IGBT器件结构及其制作方法，属于半导体器件技术领域。该IGBT器件包括依次叠加的集电极、集电区、缓冲层和外延层，以及位于外延层之上的发射极。外延层中设置有埋层和阱区；还设置有至少一个贯穿阱区的沟槽栅极结构。沟槽栅极结构的底部设置有与其直接接触的第二掺杂区，顶部覆盖有层间介质层。沟槽栅极结构的两侧设置有被第一掺杂区包围的发射极沟槽。第一掺杂区与埋层直接接触。发射极沟槽沿壁沉积有发射极介质层，其内部填充有半导体材料。在沟槽栅极结构下方的一部分埋层中设置有导电层。集电区、埋层、阱区、第一掺杂区、第二掺杂区的掺杂类型均相同，并且与缓冲层、外延层、导电层的掺杂类型均不同。

本发明授权一种宽禁带半导体沟槽IGBT器件结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种宽禁带半导体沟槽IGBT器件结构，其特征在于，包括依次叠加的集电极、集电区、缓冲层和外延层，以及位于所述外延层之上的发射极；所述外延层中设置有埋层和位于所述埋层之上的阱区；所述外延层中设置有至少一个贯穿所述阱区的沟槽栅极结构；所述沟槽栅极结构的底部设置有与其直接接触的第二掺杂区，顶部被位于所述发射极下表面的层间介质层覆盖；所述沟槽栅极结构的两侧设置有贯穿所述阱区的发射极沟槽；所述发射极沟槽的周围被第一掺杂区包围；所述第一掺杂区与所述埋层直接接触；所述发射极沟槽沿壁沉积有发射极介质层，其内部填充有半导体材料；沿第一方向上，在所述沟槽栅极结构的下方，一部分所述埋层中设置有导电层；所述导电层为多层结构，所述导电层的每层在所述发射极沟槽指向所述沟槽栅极结构的方向上的尺寸均不同，每层的掺杂浓度均不同；所述第一方向是指与集电极到发射极的方向垂直且与发射极沟槽到栅极沟槽的方向垂直的方向；所述集电区、所述埋层、所述阱区、所述第一掺杂区、所述第二掺杂区的掺杂类型为第一类型；所述缓冲层、所述外延层、所述导电层的掺杂类型为第二类型。

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