扬州阿特斯太阳能电池有限公司肖奇获国家专利权
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龙图腾网获悉扬州阿特斯太阳能电池有限公司申请的专利太阳能电池获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223349017U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422638963.6，技术领域涉及：H10F77/30；该实用新型太阳能电池是由肖奇设计研发完成，并于2024-10-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本太阳能电池在说明书摘要公布了：一种太阳能电池，包括硅衬底；隧穿层，包括间隔设置的第一隧穿层和第二隧穿层；P型掺杂晶硅层，包括位于第一隧穿层背面的第一P型掺杂晶硅层和第二P型掺杂晶硅层，第一P型掺杂晶硅层的厚度大于第二P型掺杂晶硅层的厚度；N型掺杂晶硅层，包括位于第二隧穿层背面的第一N型掺杂晶硅层和第二N型掺杂晶硅层，第一N型掺杂晶硅层的厚度大于第二N型掺杂晶硅层的厚度；第一电极与所述第一P型掺杂晶硅层接触；第二电极与所述第一N型掺杂晶硅层接触。本实用新型的太阳能电池，与电极接触的掺杂晶硅层的厚度大于非金属区的掺杂晶硅层的厚度，避免电极在烧结过程中烧穿所述掺杂晶硅层；且可以降低膜层对长波光的寄生吸收作用，提高电池效率。
本实用新型太阳能电池在权利要求书中公布了：1.一种太阳能电池，其特征在于，包括： 硅衬底，其背面具有间隔设置的第一区、第二区； 隧穿层，包括位于第一区的第一隧穿层、位于第二区的第二隧穿层； P型掺杂晶硅层，包括位于所述第一隧穿层背面的第一P型掺杂晶硅层和第二P型掺杂晶硅层，第一P型掺杂晶硅层的厚度大于第二P型掺杂晶硅层的厚度； N型掺杂晶硅层，包括位于所述第二隧穿层背面的第一N型掺杂晶硅层和第二N型掺杂晶硅层，第一N型掺杂晶硅层的厚度大于第二N型掺杂晶硅层的厚度； 第一电极，与所述第一P型掺杂晶硅层接触； 第二电极，与所述第一N型掺杂晶硅层接触。
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