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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利一种含多挥发物的复合材料成形中孔隙缺陷优化方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119400321B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411519737.4，技术领域涉及：G16C60/00；该发明授权一种含多挥发物的复合材料成形中孔隙缺陷优化方法及系统是由周何乐子;周华民;方俊文;于雅琳;石玉红;杨帆;左小彪;莫申忠;黄志高设计研发完成，并于2024-10-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种含多挥发物的复合材料成形中孔隙缺陷优化方法及系统在说明书摘要公布了：本发明属于复合材料固化成型相关技术领域，并公开了一种含多挥发物的复合材料成形中孔隙缺陷优化方法及系统。该方法包括：确定该复合材料固化过程中的挥发物的种类、挥发物的材料参数和复合材料的固化动力学方程；计算临界固化压力；获得复合物材料固化过程中的温度曲线和固化度曲线；计算在实际固化压力下复合材料的实际固化温度，计算在实际固化温度下达到预设固化度所需的实际固化时间；由此确定：当实际固化压力小于等于所述临界固化压力时，在实际固化温度以下进行固化且实际固化时间大于达到预设固化度所需时间时，复合材料成型过程中孔隙最少。通过本发明，解决对复合物固化成型中多种挥发物的情况下无法进行的孔隙缺陷优化的问题。

本发明授权一种含多挥发物的复合材料成形中孔隙缺陷优化方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种含多挥发物的复合材料成形中孔隙缺陷优化方法，其特征在于，该方法包括下列步骤： 确定该复合材料固化过程中的挥发物的种类、挥发物的材料参数和复合材料的固化动力学方程； 构建单一挥发物的孔隙平衡生长模型，利用该单一挥发物的孔隙平衡生长模型构建复合材料的总孔隙平衡生长模型，并利用所有挥发物的材料参数和总孔隙平衡生长模型计算临界固化压力P临； 利用所述固化动力学方程对复合材料的固化过程进行仿真，获得复合物材料固化过程中的温度曲线和固化度曲线； 利用所述总孔隙平衡生长模型计算在实际固化压力P实下复合材料的实际固化温度T实，结合所述温度曲线和固化度曲线计算在实际固化温度下达到预设固化度所需的固化时间t实； 由此确定复合材料成型中孔隙最优的条件为： 当实际固化压力P实小于等于所述临界固化压力P临时，在实际固化温度T实以下进行固化且实际固化时间大于达到预设固化度所需固化时间t实时，复合材料成型过程中孔隙最少； 所述单一挥发物的孔隙平衡生长模型如下： 其中，为临界压力；和分别是挥发成分的蒸汽压力和蒸汽温度；为蒸汽焓变；为挥发成分相对湿度；为实际温度； 所述总孔隙平衡生长模型如下： P总=∑Pi 其中，P总是总临界压力，Pi是第i个挥发物的临界压力。

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