杰平方半导体(上海)有限公司周健获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉杰平方半导体(上海)有限公司申请的专利一种高功率密度SCR器件结构及半导体器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223348994U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422606652.1，技术领域涉及：H10D89/60；该实用新型一种高功率密度SCR器件结构及半导体器件是由周健;王帅旗;张代中设计研发完成，并于2024-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高功率密度SCR器件结构及半导体器件在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种高功率密度SCR器件结构及半导体器件，属于半导体功率器件技术领域，该高功率密度SCR器件结构，包括衬底；N型阱区，形成在所述衬底中，所述N型阱区的一侧邻接有P型阱区；第一金属填充区，设置在所述N型阱区中，所述第一金属填充区的两侧分别设置有第一N型区和第一P型区；第二金属填充区，设置在所述P型阱区中，所述第二金属填充区的两侧分别设置有第二N型区和第二P型区。通过引入金属填充区，能够使SCR器件结构有着更大的有效电流泄放通路面积，提高了SCR器件在大电流下的电流均匀性，能够在不增大器件面积的情况下，显著地提高器件地泄放电流能力，增大SCR器件在单位面积下能够承受的最大瞬态脉冲功率。
本实用新型一种高功率密度SCR器件结构及半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种高功率密度SCR器件结构，其特征在于，包括： 衬底； N型阱区，形成在所述衬底中，所述N型阱区的一侧邻接有P型阱区； 第一金属填充区，设置在所述N型阱区中，所述第一金属填充区的两侧分别设置有第一N型区和第一P型区； 第二金属填充区，设置在所述P型阱区中，所述第二金属填充区的两侧分别设置有第二N型区和第二P型区。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人杰平方半导体(上海)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区盛夏路169号、张东路1658号1幢4层401室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励