武汉华星光电半导体显示技术有限公司阚世雷获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉华星光电半导体显示技术有限公司申请的专利微型发光器件及显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119403334B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411489276.0，技术领域涉及：H10H29/30；该发明授权微型发光器件及显示装置是由阚世雷;陈胜;孙亮设计研发完成，并于2024-10-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本微型发光器件及显示装置在说明书摘要公布了：本申请公开了一种微型发光器件及显示装置，所述微型发光器件包括：驱动基板；发光层，设置于所述驱动基板的一侧；所述发光层包括相互间隔设置的子像素，相邻所述子像素形成像素沟槽；键合层，设置于所述驱动基板与所述发光层之间；所述键合层设有多个与所述子像素对应设置的导电孔，所述导电孔贯穿所述键合层，所述导电孔内设有导电体；所述导电体分别与驱动基板和所述发光层构成电性连接；其中，在所述发光层和所述键合层堆叠方向上，所述像素沟槽的底部设在所述键合层远离所述驱动基板的一侧的外部，解决了传统制造高分辨率、高亮度的微型发光器件存在良率低的问题。
本发明授权微型发光器件及显示装置在权利要求书中公布了：1.一种微型发光器件，其特征在于，所述微型发光器件包括： 背板，所述背板包括驱动电路和第一结合层，所述第一结合层包括： 第一介电层；以及 第一导通结构，所述第一导通结构电连接到所述驱动电路；以及微型发光二极管阵列，所述微型发光二极管阵列包括多个发光芯片和第二结合层，所述第二结合层包括： 第二介电层；以及 第二导通结构，所述第二导通结构电连接到所述多个发光芯片，其中，所述第一结合层结合到所述第二结合层，并且所述第一介电层或所述第二介电层中至少一者包括DBR反射结构； 其中，所述DBR反射结构为不同折射率的材料层堆叠形成的复合结构。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人武汉华星光电半导体显示技术有限公司，其通讯地址为：430079 湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道666号光谷生物创新园C5栋305室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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