苏州龙驰半导体科技有限公司刘秘获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州龙驰半导体科技有限公司申请的专利开关装置及其结型场效应晶体管获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223348992U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422531163.4，技术领域涉及：H10D64/27；该实用新型开关装置及其结型场效应晶体管是由刘秘设计研发完成，并于2024-10-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本开关装置及其结型场效应晶体管在说明书摘要公布了：本申请提供了一种开关装置及其结型场效应晶体管，包括结型场效应晶体管和栅极电容，结型场效应晶体管包括：衬底和外延层，两个底栅，形成于外延层内；组合式顶栅，顶栅包括顶栅内区和顶栅外区，顶栅内区自上而下形成在所述外延层内，顶栅外区包围在顶栅内区的底面和侧面，且顶栅外区和所述底栅之间具有间隔；其中，顶栅外区的掺杂浓度小于顶栅内区的掺杂浓度；栅极电极，位于顶栅内区之上的位置且栅极电极和顶栅内区之间的接触为欧姆接触，对应的，顶栅内区的电势等于栅极电极的电势；栅极电容串联在结型场效应晶体管的栅极电极和外部的控制电压电路之间。本申请解决了传统的开关装置的驱动电压受限于结型场效应晶体管的技术问题。
本实用新型开关装置及其结型场效应晶体管在权利要求书中公布了：1.一种开关装置，其特征在于，包括结型场效应晶体管和栅极电容14，所述结型场效应晶体管包括： 第一掺杂类型的衬底1和第一掺杂类型的外延层2，所述外延层2位于所述衬底1的上方； 两个第二掺杂类型的底栅3，形成于所述外延层内且在横向间隔设置； 第二掺杂类型的组合式顶栅，所述顶栅包括顶栅内区81和顶栅外区82，所述顶栅内区81自上而下形成在所述外延层内，所述顶栅外区82包围在所述顶栅内区81的底面和侧面，且所述顶栅外区82和所述底栅3之间具有间隔；其中，顶栅外区82的掺杂浓度小于所述顶栅内区81的掺杂浓度； 栅极电极11，位于所述顶栅内区81之上的位置且所述栅极电极11和所述顶栅内区81之间的接触为欧姆接触，对应的，所述顶栅内区81的电势等于所述栅极电极11的电势； 其中，所述栅极电容14串联在结型场效应晶体管的栅极电极11和外部的控制电压电路之间。
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