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龙图腾网获悉浙江大学;浙江创芯集成电路有限公司申请的专利一种MIM电容器测试结构及其制备和测试方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119314979B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411460181.6，技术领域涉及：H01L23/544；该发明授权一种MIM电容器测试结构及其制备和测试方法是由李云龙;李雪;杨宇;郑辰峰设计研发完成，并于2024-10-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种MIM电容器测试结构及其制备和测试方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种MIM电容器测试结构及其制备和测试方法。MIM电容器测试结构包括半导体衬底、第一介质层、MIM结构下层金属、第二介质层、第一隔离保护层、第三介质层、第二隔离保护层、钝化层；第一介质层、MIM结构下层金属、第二介质层内开有第一导电沟槽，所述第一导电沟槽内设有沟槽侧壁介质层、第一导电沟槽阻挡层、MIM结构上层金属；本发明钝化层包覆MIM电容器结构，保护其免受水汽等环境因素的侵蚀，并提供了远离核心研究区域的电极探测位置，确保不会对沟槽侧壁造成机械损伤。

本发明授权一种MIM电容器测试结构及其制备和测试方法在权利要求书中公布了：1.一种MIM电容器测试结构，其特征在于从下至上依次包括：半导体衬底101、第一介质层102、MIM结构下层金属103、第二介质层104、第一隔离保护层110、第三介质层111、第二隔离保护层114、钝化层115； 所述第一介质层102、MIM结构下层金属103、第二介质层104内开有第一导电沟槽，所述第一导电沟槽从外至内设置有沟槽侧壁介质层105、第一导电沟槽阻挡层106、MIM结构上层金属107；所述第一导电沟槽阻挡层106包裹MIM结构上层金属107，所述沟槽侧壁介质层105包裹第一导电沟槽阻挡层106；所述沟槽侧壁介质层105、第一导电沟槽阻挡层106、MIM结构上层金属107的底部均位于第一介质层102内，顶部与第二介质层104顶部齐平；沟槽侧壁介质层105的中段位于MIM结构下层金属103内； 所述MIM结构下层金属103、第二介质层104内开有导电通孔，所述导电通孔从外至内设置有第一阻挡层109、第一金属层108；所述第一阻挡层109包裹第一金属层108； 所述第一隔离保护层110、第三介质层111内开有两个第二导电沟槽，每个第二导电沟槽从外至内设置有第二导电沟槽阻挡层112、导电金属层113；所述第二导电沟槽阻挡层112包裹导电金属层113。

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