北京晶亦精微科技股份有限公司罗付获国家专利权
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龙图腾网获悉北京晶亦精微科技股份有限公司申请的专利晶圆的混合键合表面平坦化工艺方法及化学机械抛光设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119458136B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411437492.0，技术领域涉及：B24B37/04；该发明授权晶圆的混合键合表面平坦化工艺方法及化学机械抛光设备是由罗付;蔡长益;张康;詹阳设计研发完成，并于2024-10-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本晶圆的混合键合表面平坦化工艺方法及化学机械抛光设备在说明书摘要公布了：本发明提供一种晶圆的混合键合表面平坦化工艺方法及化学机械抛光设备。该方法包括：控制研磨头吸附待表面平坦化处理的第一晶圆，并在第一研磨垫上对第一晶圆进行研磨，以去除第一晶圆的沟槽以上的铜薄膜，得到第二晶圆；控制研磨头移动到第二研磨垫上，并在第二研磨垫上对第二晶圆进行研磨，以去除第二晶圆的介电层、介电层上方的阻挡层和沟槽内与介电层厚度相同的铜，得到露出界面层的第三晶圆；控制研磨头移动到第三研磨垫上，并在第三研磨垫上对第三晶圆进行研磨，以使界面层的表面高度与沟槽内的铜的表面高度相同，得到表面平坦化后的晶圆；其中第三研磨垫的硬度小于第一研磨垫的硬度和第二研磨垫的硬度。本发明能够得到表面平坦光滑的晶圆。
本发明授权晶圆的混合键合表面平坦化工艺方法及化学机械抛光设备在权利要求书中公布了：1.一种晶圆的混合键合表面平坦化工艺方法，其特征在于，包括： 控制研磨头吸附待表面平坦化处理的第一晶圆，并在第一研磨垫上对所述第一晶圆进行研磨，以去除所述第一晶圆的沟槽以上的铜薄膜，得到第二晶圆； 控制所述研磨头移动到第二研磨垫上，并在所述第二研磨垫上对所述第二晶圆进行研磨，以去除所述第二晶圆的介电层、所述介电层上方的阻挡层和所述沟槽内与所述介电层厚度相同的铜，得到露出界面层的第三晶圆； 控制所述研磨头移动到第三研磨垫上，并在所述第三研磨垫上对所述第三晶圆进行研磨，以使所述界面层的表面高度与所述沟槽内的铜的表面高度相同，得到表面平坦化后的晶圆；其中，所述第三研磨垫的硬度小于所述第一研磨垫的硬度和所述第二研磨垫的硬度； 所述介电层和所述界面层的去除速率大于铜的去除速率；所述表面平坦化后的晶圆用于晶圆的混合键合。
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