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龙图腾网获悉湖北九峰山实验室申请的专利混合型异质集成电路的集成结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119300392B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411416143.0，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权混合型异质集成电路的集成结构及其制备方法是由葛晓明;卢双赞;李思超;沈晓安;张洁琼;程涛设计研发完成，并于2024-10-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本混合型异质集成电路的集成结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种混合型异质集成电路的集成结构及其制备方法，S1、制备GaNHEMT器件，GaNHEMT器件包括第一衬底、缓冲层、GaN沟道、第一栅极、第一源极、第一漏极以及屏障层；S2、制备SiCJFET器件，SiCJFET器件包括第二衬底、SiC沟道、n‑EPI层、第二源极以及第二漏极；S3、GaNHEMT器件的第一漏极以及第一源极分别与SiCJFET器件的第二漏极以及第二源极对应键合连接，获得混合型异质集成电路的集成结构。本发明缩小了节距，提高了集成电路连接密度。

本发明授权混合型异质集成电路的集成结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种混合型异质集成电路的集成结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、制备GaNHEMT器件，所述GaNHEMT器件包括第一衬底、缓冲层、GaN沟道、第一栅极、第一源极、第一漏极以及屏障层，其中，所述第一衬底、缓冲层、GaN沟道以及屏障层依次叠设，所述第一栅极位于所述屏障层远离所述GaN沟道的一侧，所述第一源极与第一漏极的一端位于所述屏障层远离所述GaN沟道的一侧，另一端与所述GaN沟道相连； S2、制备SiCJFET器件，所述SiCJFET器件包括第二衬底、SiC沟道、n-EPI层、第二源极以及第二漏极，所述第二衬底、SiC沟道、n-EPI层依次叠设，所述n-EPI层远离所述SiC沟道的一侧设有p型掺杂区域以及n型掺杂区域，所述第二漏极和所述第二源极位于所述n-EPI层远离所述SiC沟道的一侧，所述第二漏极与所述n型掺杂区域相连，所述第二源极与所述p型掺杂区域相连； S3、所述GaNHEMT器件的第一漏极以及第一源极分别与所述SiCJFET器件的第二漏极以及第二源极对应键合连接，获得混合型异质集成电路的集成结构。

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