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龙图腾网获悉中国人民解放军空军工程大学申请的专利一种多路等离子体调控激波边界层干扰的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119284151B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411362472.1，技术领域涉及：B64C23/00；该发明授权一种多路等离子体调控激波边界层干扰的方法是由梁华;杨鹤森;孔鑫宇;魏彪;苏志;宗豪华;李金平;熊有德;吴云;张东盛设计研发完成，并于2024-09-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种多路等离子体调控激波边界层干扰的方法在说明书摘要公布了：提供一种压缩拐角激波边界层干扰模型，设计状态马赫数在马赫1到5之间；在分离区上游安装人工转捩带；在绝缘材料内部插入U形电极盖板；在绝缘材料上表面开相同大小的凹槽阵列以安装U形电极盖板；在绝缘材料表面沿流向布置两排凹槽；每排凹槽包括沿流向均匀分布的多个凹槽，相邻凹槽之间保持相同间距；在每排凹槽两端向外延伸处的设置圆柱阶梯孔。还提供一种多路等离子体调控激波边界层干扰的方法。本发明在分离区前布置多路等离子体阵列，利用高能等离子体的强烈冲击效应和热效应，对波系结构产生接续冲击扰动作用，形成热气团对近壁面激波进行调控，从而降低逆压梯度对边界层的影响，改善激波低频不稳定性，减缓激波边界层干扰诱导的流动分离。

本发明授权一种多路等离子体调控激波边界层干扰的方法在权利要求书中公布了：1.一种压缩拐角激波边界层干扰模型，以下简称为“模型”，设计状态马赫数在马赫1到5之间；模型表面光滑、流向较长；在分离区上游安装人工转捩带；其特征在于， 等离子体激励器选用绝缘材料加工，在绝缘材料内部插入U形电极盖板；U形电极盖板由U形可导电金属和正好嵌入其中的绝缘套板组成，整体形状为长方体，U形可导电金属和绝缘套板上表面齐平； 在绝缘材料上表面开相同大小的凹槽阵列，以安装U形电极盖板；凹槽阵列安装在拐角处分离区上游位置；在绝缘材料表面沿流向布置两排凹槽，两排凹槽关于绝缘材料展向对称轴对称；每排凹槽包括沿流向均匀分布的多个凹槽，相邻凹槽之间保持相同间距；每个凹槽都顺着流向设置，因此，U形可导电金属两个端头中心的连线也顺着流向；U形可导电金属的两个端头裸露在空气中；U形电极盖板上表面与绝缘材料上表面齐平，绝缘材料上表面与模型上表面齐平； 在每排凹槽两端向外延伸处的绝缘材料表面垂直向下打孔，设置圆柱阶梯孔，两排凹槽共四个圆柱阶梯孔；圆柱阶梯孔由大、小两个圆柱孔组成，其中小圆柱孔靠近激励器上表面，用于安装圆柱电极；大圆柱孔靠近激励器下表面，需要完全打通，以便自下向上放置与圆柱电极相连的高压电线。

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