广州华星光电半导体显示技术有限公司唐甲获国家专利权
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龙图腾网获悉广州华星光电半导体显示技术有限公司申请的专利阵列基板和显示面板获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN118969803B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411253220.5,技术领域涉及:H10D86/60;该发明授权阵列基板和显示面板是由唐甲设计研发完成,并于2024-09-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本阵列基板和显示面板在说明书摘要公布了:本申请提供一种阵列基板和显示面板中,阵列基板包括衬底以及设置在衬底上的第一导电层、第二导电层、第一绝缘层、氧化物有源层,第一导电层包括间隔设置的源极和遮光电极,第二导电层包括与源极连接的阻挡电极,第一绝缘层包括与源极对应设置的第一过孔,氧化物有源层包括沟道部以及位于沟道部一侧的源极接触部,部分源极接触部设置于第一过孔内,且与阻挡电极连接,阻挡电极连接于源极接触部和源极之间,并对应第一过孔设置,以避免源极接触部与源极直接接触,而阻挡电极能够阻挡源极中的金属元素向源极接触部扩散,以避免源极中的金属元素扩散到氧化物有源层内形成深能级杂质,而导致器件性能退化,影响器件特征和偏置温度应力特性。
本发明授权阵列基板和显示面板在权利要求书中公布了:1.一种阵列基板,其特征在于,包括: 衬底; 第一导电层,设置于所述衬底的一侧,所述第一导电层包括间隔设置的源极和遮光电极; 第二导电层,设置于所述第一导电层远离所述衬底的一侧,所述第二导电层包括阻挡电极,所述阻挡电极与所述源极连接; 第一绝缘层,设置于所述第一导电层远离所述衬底的一侧,所述第一绝缘层包括与所述源极对应设置的第一过孔; 氧化物有源层,设置于所述第一绝缘层远离所述衬底的一侧,所述氧化物有源层包括沟道部以及位于所述沟道部一侧的源极接触部;在所述阵列基板的厚度方向上,所述沟道部与所述遮光电极对应设置,部分所述源极接触部设置于所述第一过孔内,且与所述阻挡电极连接,所述阻挡电极连接于所述源极接触部和所述源极之间,并对应所述第一过孔设置,所述阻挡电极配置为阻挡所述源极中的金属元素向所述源极接触部扩散; 第二绝缘层,设置于所述氧化物有源层远离所述衬底的一侧,所述第二绝缘层与所述沟道部对应设置; 第三导电层,设置于所述第二绝缘层远离所述衬底的一侧,所述第三导电层包括与所述沟道部对应设置的栅极; 所述第一绝缘层覆盖在部分所述源极上、所述遮光电极上以及所述遮光电极与所述源极之间的间隙内,所述第一过孔暴露出部分所述源极,所述阻挡电极位于所述第一过孔内,覆盖在所述第一过孔的孔壁上以及第一过孔暴露出的所述源极上,并与所述第一过孔暴露出的所述源极连接,所述源极接触部覆盖在所述第一过孔内的所述阻挡电极上。
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