西交利物浦大学曹平予获国家专利权
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龙图腾网获悉西交利物浦大学申请的专利一种参考电压产生器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119088161B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411225318.X，技术领域涉及：G05F1/567；该发明授权一种参考电压产生器及其制备方法是由曹平予;赵克鹏;崔苗设计研发完成，并于2024-09-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种参考电压产生器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种参考电压产生电路及其制备方法，电路包括串联于第一电源电压端和第二电源电压端之间的第一增强型MOS管和肖特基二极管，第一增强型MOS管和肖特基二极管的连接端作为参考电压产生电路的输出端；第一增强型MOS管被配置为工作于亚阈值区；第一增强型MOS管的输出电流与温度呈正相关，肖特基二极管的电压与温度呈负相关，以使参考电压产生电路的输出端输出稳定的参考电压。利用上述电路结构，通过使第一增强型MOS管工作于亚阈值区，使得电路产生的参考电压对温度变化不敏感，保证在高温下仍可以产生稳定参考电压，提高了参考电压产生电路的稳定性，体积小易集成，同时降低了第一增强型MOS管的导通电阻以及电路损耗。
本发明授权一种参考电压产生器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种参考电压产生电路，其特征在于，包括串联于第一电源电压端和第二电源电压端之间的第一增强型MOS管和肖特基二极管，所述第一增强型MOS管和所述肖特基二极管的连接端作为所述参考电压产生电路的输出端； 所述第一增强型MOS管被配置为工作于亚阈值区； 所述第一增强型MOS管的阈值电压的相反数与温度呈正相关，所述肖特基二极管的电压与温度呈负相关，以使所述参考电压产生电路的输出端输出稳定的参考电压。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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