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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种宽谱响应pin高温紫外探测器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119170683B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411221621.2，技术领域涉及：H10F30/223；该发明授权一种宽谱响应pin高温紫外探测器及其制备方法是由杜丰羽;龚志鹏;宋庆文;汤晓燕;韩超;袁昊;周瑜;张玉明设计研发完成，并于2024-09-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种宽谱响应pin高温紫外探测器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种宽谱响应pin高温紫外探测器，属于微电子技术领域，包括4H‑SiC衬底，设置在4H‑SiC衬底上的4H‑SiC外延层，设置在4H‑SiC外延层上表面左右两侧的4H‑SiC吸收层和β‑Ga2O3吸收层，设置在4H‑SiC吸收层上的4H‑SiC接触层，设置在β‑Ga2O3吸收层上的β‑Ga2O3接触层；4H‑SiC接触层、4H‑SiC吸收层、4H‑SiC外延层的左侧形成有左半部分倾角台面结构；β‑Ga2O3接触层、β‑Ga2O3吸收层以及4H‑SiC外延层的右侧有右半部分倾角台面结构；NP型欧姆接触金属分别设置在倾角台面结构的上下台面。该探测器的光响应能力强，探测波长范围宽。

本发明授权一种宽谱响应pin高温紫外探测器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种宽谱响应pin高温紫外探测器，其特征在于，包括4H-SiC衬底1、4H-SiC外延层2、4H-SiC吸收层3、β-Ga2O3吸收层4、4H-SiC接触层5、β-Ga2O3接触层6、钝化层7、N型欧姆接触金属8以及P型欧姆接触金属9；其中， 所述4H-SiC外延层2设置在所述4H-SiC衬底1上； 所述4H-SiC吸收层3设置在所述4H-SiC外延层2的左上方；所述β-Ga2O3吸收层4与所述4H-SiC吸收层3具有相同的高度，并紧挨所述4H-SiC吸收层3设置在所述4H-SiC外延层2的右上方； 所述4H-SiC接触层5设置在所述4H-SiC吸收层3上方，并与所述4H-SiC吸收层3的右侧对齐；所述β-Ga2O3接触层6设置在所述β-Ga2O3吸收层4上方，并与所述β-Ga2O3吸收层4的左侧对齐；且所述β-Ga2O3接触层6与所述4H-SiC接触层5具有相同的高度； 所述4H-SiC接触层5的左侧、所述4H-SiC吸收层3的左侧以及所述4H-SiC外延层2的左侧通过刻蚀形成左半部分倾角台面结构；所述β-Ga2O3接触层6的右侧、所述β-Ga2O3吸收层4的右侧以及所述4H-SiC外延层2的右侧通过刻蚀形成右半部分倾角台面结构；所述4H-SiC接触层5的上表面、所述β-Ga2O3接触层6的上表面一起形成倾角台面结构的上台面；所述4H-SiC接触层5的左侧壁、所述4H-SiC吸收层3的左侧壁以及部分所述4H-SiC外延层2的左侧壁一起形成倾角台面结构的左侧倾斜侧壁；所述β-Ga2O3接触层6的右侧壁、所述β-Ga2O3吸收层4的右侧壁以及部分所述4H-SiC外延层2的右侧壁一起形成倾角台面结构的右侧倾斜侧壁；所述4H-SiC外延层2两侧的上表面形成倾角台面结构的下台面； 所述钝化层7覆盖整个器件的上表面； 所述N型欧姆接触金属8设置在所述倾角台面结构的上台面两侧；所述P型欧姆接触金属9设置在所述倾角台面结构的下台面两侧。

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