电子科技大学胡音获国家专利权
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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种聚芳醚基集流体表面修饰方法及其在贫锂电池中的应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119092716B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411204706.X，技术领域涉及：H01M4/66；该发明授权一种聚芳醚基集流体表面修饰方法及其在贫锂电池中的应用是由胡音;李秀兰;杨荣凤;陈伟;雷天宇设计研发完成，并于2024-08-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种聚芳醚基集流体表面修饰方法及其在贫锂电池中的应用在说明书摘要公布了：本发明提供一种聚芳醚基集流体表面修饰方法及其在贫锂电池中的应用，属于锂金属电池技术领域，具体为：将聚芳醚类高分子聚合物、聚合物固态电解质和锂盐溶解至有机溶剂中，搅拌溶解得到前驱体溶液，聚芳醚类高分子聚合物含有亚芳基、腈基、氧醚基和亲锂基团；通过静电纺丝技术，将前驱体溶液纺丝在集流体表面，得到纤维尺寸均一的修饰膜，进而获得复合集流体。本发明通过静电纺丝技术将聚芳醚类高分子聚合物修饰在集流体表面，在提升锂沉积均匀性的同时，有效缓解锂沉积导致的体积膨胀，进而提升锂金属电池的循环稳定性、能量效率和使用寿命，尤其适用于贫锂电池。
本发明授权一种聚芳醚基集流体表面修饰方法及其在贫锂电池中的应用在权利要求书中公布了：1.一种聚芳醚基集流体表面修饰方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤1、将聚芳醚类高分子聚合物、聚合物固态电解质和锂盐溶解至有机溶剂中，搅拌溶解得到前驱体溶液；其中，所述聚芳醚类高分子聚合物含有亚芳基、腈基、氧醚基和亲锂基团；所述前驱体溶液中聚芳醚类高分子聚合物的质量分数为12％～20％，聚合物固态电解质的质量分数为0.1％～1％，锂盐的浓度为0.01～0.5molL； 步骤2、通过静电纺丝技术，将前驱体溶液纺丝在集流体表面，得到纤维尺寸均一的修饰膜，进而获得复合集流体。
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