中科超睿(青岛)技术有限公司请求不公布姓名获国家专利权
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龙图腾网获悉中科超睿(青岛)技术有限公司申请的专利一种中子源系统获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN223348839U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202422128173.3,技术领域涉及:H05H3/06;该实用新型一种中子源系统是由请求不公布姓名设计研发完成,并于2024-08-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种中子源系统在说明书摘要公布了:本申请涉及中子发生器技术领域,具体提供一种中子源系统,旨在解决现有二次电子抑制效果差和束流发散的问题。为此,本申请的中子源系统,包括:离子源,用于产生离子束流;靶组件,其与离子源相对设置;第一加速电极,其设置于离子源和靶组件之间,以使离子束流在第一加速电极的作用下轰击靶组件,从而产生中子;聚束装置,其设置于离子源和靶组件之间,聚束装置能够产生磁场,以将离子束流轰击靶组件时产生的二次电子束缚在磁场内部。本申请中提供的聚束装置不仅可以对二次电子起到抑制作用,还能在特定的区域中形成电子云,从而降低离子束流的空间电荷效应,并提升其聚焦效果。
本实用新型一种中子源系统在权利要求书中公布了:1.一种中子源系统,其特征在于,包括: 离子源,用于产生离子束流; 靶组件,其与所述离子源相对设置; 第一加速电极,其设置于所述离子源和所述靶组件之间,以使所述离子束流在所述第一加速电极的作用下轰击所述靶组件,从而产生中子; 聚束装置,其设置于所述离子源和所述靶组件之间,所述聚束装置能够产生磁场,以将所述离子束流轰击所述靶组件时产生的二次电子的束缚在所述磁场的内部。
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