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龙图腾网获悉江西耀驰科技有限公司;江西兆驰半导体有限公司申请的专利垂直LED芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119092617B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411188327.6，技术领域涉及：H10H20/831；该发明授权垂直LED芯片及其制备方法是由吴启航;梁根豪;陈垚;曹广亮;徐洲;胡加辉;金从龙设计研发完成，并于2024-08-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本垂直LED芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种垂直LED芯片及其制备方法，涉及半导体光电器件领域。垂直LED芯片的制备方法包括以下步骤：提供外延片；形成介质层、金属反射层和键合层；与第二衬底键合；去除第一衬底；将电极主体所对应区域的N型接触层去除，形成电极主体孔，电极主体孔的尺寸大于电极主体的尺寸；形成N电极，电极主体形成于电极主体孔内；保留电极扩展条下方的N型接触层，并去除其他区域的N型接触层；形成光刻胶层；对N型半导体层进行粗化处理；去除残余的光刻胶层；在第二衬底远离键合层的一侧形成P电极。实施本发明，可以垂直LED芯片的生产良率和可靠性。

本发明授权垂直LED芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种垂直LED芯片的制备方法，所述垂直LED芯片包括N电极，所述N电极包括电极主体和电极扩展条，所述电极扩展条连接于所述电极主体的周围；其特征在于，制备方法包括以下步骤： S1、提供外延片，所述外延片包括第一衬底和依次层叠于所述第一衬底上的N型接触层、N型半导体层、有源层和P型半导体层； S2、在所述P型半导体层上依次形成介质层、金属反射层和键合层； S3、将步骤S2得到的外延片与第二衬底键合； S4、去除第一衬底，暴露所述N型接触层； S5、将所述电极主体所对应区域的N型接触层去除，形成电极主体孔，所述电极主体孔的尺寸大于所述电极主体的尺寸； S6、在步骤S5得到的外延片上形成N电极，其中，所述电极主体形成于所述电极主体孔内，所述电极扩展条至少部分位于所述N型接触层上； S7、保留电极扩展条下方的N型接触层，并去除其他区域的N型接触层； S8、在步骤S7得到的外延片上形成光刻胶层，并光刻显影使所述光刻胶层包裹所述电极主体和所述电极扩展条； S9、对所述N型半导体层进行粗化处理； S10、去除残余的光刻胶层； S11、在所述第二衬底远离所述键合层的一侧形成P电极。

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