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龙图腾网获悉江西耀驰科技有限公司;江西兆驰半导体有限公司申请的专利一种反极性红光LED芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118969920B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411173167.8，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权一种反极性红光LED芯片及其制备方法是由郭磊;文国昇;金从龙设计研发完成，并于2024-08-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种反极性红光LED芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种反极性红光LED芯片及其制备方法，涉及半导体器件技术领域，该制备方法包括：提供P面外延层；在P面外延层远离打线电极的表面制作导电柱；在导电柱的外围制作介质层，使介质层覆盖于P面外延层远离打线电极的表面并将导电柱包裹；对介质层进行腐蚀，得到大于打线电极直径的介质层通孔；在介质层通孔内与介质层远离P面外延层的表面沉积ITO材料，得到透明导电层；在透明导电层远离介质层的表面蒸镀反光金属材料，得到镜面层；将镜面层键合至背面具有N电极的衬底基板之上。本发明解决了现有技术中SiO2介质层的应力较大，AuZn和SiO2介质层之间的粘附性较差，在终端打线过程容易出现键合脱层现象的技术问题。

本发明授权一种反极性红光LED芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种反极性红光LED芯片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括： 提供P面外延层； 在所述P面外延层远离打线电极的表面制作导电柱； 在所述导电柱的外围制作介质层，使所述介质层覆盖于所述P面外延层远离所述打线电极的表面并将所述导电柱包裹； 对所述介质层进行腐蚀，得到大于所述打线电极直径的介质层通孔； 在所述介质层通孔内与所述介质层远离所述P面外延层的表面沉积导电材料，得到透明导电层； 在所述透明导电层远离所述介质层的表面蒸镀反光金属材料，得到镜面层； 将所述镜面层键合至背面具有N电极的衬底基板之上； 其中，在所述介质层通孔内与所述介质层远离所述P面外延层的表面沉积导电材料，得到透明导电层的步骤，包括： 在所述介质层通孔内沉积导电材料，得到第一透明导电子层，使所述介质层远离所述P面外延层的表面保持齐平； 在所述介质层远离所述P面外延层的表面再次沉积导电材料，得到第二透明导电子层，以得到所述透明导电层； 其中，所述第一透明导电子层与所述第二透明导电子层呈电性连接，所述导电材料为ITO。

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