江西兆驰半导体有限公司张星星获国家专利权
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龙图腾网获悉江西兆驰半导体有限公司申请的专利一种LED芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118969926B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411173164.4，技术领域涉及：H10H20/816；该发明授权一种LED芯片及其制备方法是由张星星;张雪;胡加辉;金从龙设计研发完成，并于2024-08-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种LED芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种LED芯片及其制备方法，涉及半导体器件技术领域，该LED芯片包括衬底、外延层与芯片层，芯片层包括电流阻挡层、透明导电层、钝化层与电极层，电极层包括N型电极与P型电极；其中，电流阻挡层设于P型半导体层之上，电流阻挡层为非连续性结构，包括多个间隔设置的电流阻挡块，透明导电层设于电流阻挡层之上并在相邻电流阻挡块之间与P型半导体层接触，设于透明导电层之上的钝化层贯穿设有与电流阻挡块相对的钝化层通孔，设于钝化层之上的P型电极至少部分通过钝化层通孔与透明导电层接触。本发明旨在解决现有技术中位于钝化层底部的电流阻挡层区域存在遮光，影响LED芯片发光亮度的技术问题。
本发明授权一种LED芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种LED芯片，其特征在于，所述LED芯片包括衬底、外延层与芯片层，所述外延层包括依次层叠于所述衬底之上的N型半导体层、发光层与P型半导体层，所述芯片层包括电流阻挡层、透明导电层、钝化层与电极层，所述电极层包括N型电极与P型电极； 其中，所述电流阻挡层设于所述P型半导体层之上，所述电流阻挡层为非连续性结构，包括多个间隔设置的电流阻挡块，所述透明导电层设于所述电流阻挡层之上并在相邻所述电流阻挡块之间与所述P型半导体层接触，设于所述透明导电层之上的所述钝化层贯穿设有与所述电流阻挡块一一相对的钝化层通孔，设于所述钝化层之上的P型电极至少部分通过每个所述钝化层通孔与所述透明导电层接触； 所述P型电极远离所述钝化层的一侧表面，设有与所述钝化层通孔中心重叠的第一电极孔，以及与所述钝化层的凹陷部中心重叠的第二电极孔，所述第一电极孔与所述第二电极孔交替分布。
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