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龙图腾网获悉江西耀驰科技有限公司;江西兆驰半导体有限公司申请的专利水平结构LED芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119029104B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411162498.1，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权水平结构LED芯片及其制备方法是由徐洲;金钊;马婷;胡加辉;金从龙设计研发完成，并于2024-08-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本水平结构LED芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种水平结构LED芯片及其制备方法，涉及半导体光电器件领域。LED芯片的制备方法包括以下步骤：S1、提供外延片；S2、刻蚀外延片表面形成多个凸起；S3、在步骤S2得到的外延片上形成介质层；S4、刻蚀介质层，形成第一通孔；S5、形成金属反射层；S6、在金属反射层上形成键合层；S7、与第二衬底键合；S8、去除第一衬底，暴露N型半导体层；S9、在N型半导体层上形成N电极；S10、刻蚀形成刻蚀至P型接触层的第二通孔；S11、形成P电极，得到LED晶圆；所述P电极通过所述第二通孔与所述P电极形成电连接；S12、将所述LED晶圆切割，得到水平结构LED芯片。实施本发明，可提升光提取效率，提升水平结构LED芯片的可靠性。

本发明授权水平结构LED芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种水平结构LED芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、提供外延片，所述外延片包括第一衬底和依次设于所述第一衬底上的N型半导体层、有源层、P型半导体层和P型接触层；所述P型接触层包括第一预设区域和第二预设区域； S2、将所述P型接触层刻蚀，在第一预设区域形成多个凸起，相邻凸起之间设置凹槽；所述凸起的高度小于等于所述P型接触层厚度的50%； S3、在步骤S2得到的外延片上形成介质层，其中，所述介质层的厚度小于所述凹槽的深度，所述介质层的折射率小于所述P型接触层的折射率； S4、刻蚀所述介质层，以在所述凸起的顶部形成多个暴露所述凸起的第一通孔； S5、在步骤S4得到的外延片上形成金属反射层，所述金属反射层填平所述凹槽； S6、在所述金属反射层上形成键合层； S7、将步骤S6得到的外延片与第二衬底键合； S8、去除所述第一衬底，暴露所述N型半导体层； S9、在所述N型半导体层上形成N电极，得到中间体； S10、在所述中间体上形成多个刻蚀至P型接触层的第二通孔；所述第二通孔设于所述第二预设区域；并在所述第二通孔内形成多个刻蚀至所述金属反射层的第三通孔； S11、在步骤S10得到的中间体上形成P电极，得到LED晶圆；所述P电极通过所述第二通孔与所述P型接触层形成电连接；所述P电极通过所述第三通孔与所述金属反射层形成电连接； S12、将所述LED晶圆切割，得到水平结构LED芯片。

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