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龙图腾网获悉云南师范大学申请的专利低温热处理方法制备铜锌锡硫前驱体薄膜及包含其的铜锌锡硫硒太阳电池获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119038888B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411145499.5，技术领域涉及：C03C17/36；该发明授权低温热处理方法制备铜锌锡硫前驱体薄膜及包含其的铜锌锡硫硒太阳电池是由王书荣;赵永刚;张莹;胡兴欢;苏旭设计研发完成，并于2024-08-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本低温热处理方法制备铜锌锡硫前驱体薄膜及包含其的铜锌锡硫硒太阳电池在说明书摘要公布了：本发明属于光电材料新能源技术领域，涉及一种低温热处理方法制备铜锌锡硫前驱体薄膜及包含其的铜锌锡硫硒太阳电池，包括以下步骤1配制Cu-Zn-Sn-S前驱体溶液；2旋涂-烘烤-低温热处理制备Cu-Zn-Sn-S前驱体薄膜；3将步骤2所述的Cu-Zn-Sn-S前驱体薄膜进行高温硫硒化制备铜锌锡硫硒Cu2ZnSnS,Se4，CZTSSe吸收层薄膜。即本发明在制备前驱体薄膜的实验中用低温热处理代替冷却步骤，显著改变Cu-Zn-Sn-S前驱体薄膜表面形貌进而促进后步硫硒化过程中Se元素的向下扩散，导致由上往下的晶粒生长方式主导晶粒生长以此获得单层大晶粒结构的CZTSSe吸收层薄膜，并进一步在吸收层薄膜基础上制备效率达到11.8％的CZTSSe薄膜太阳电池。

本发明授权低温热处理方法制备铜锌锡硫前驱体薄膜及包含其的铜锌锡硫硒太阳电池在权利要求书中公布了：1.一种低温热处理工艺制备铜锌锡硫前驱体薄膜的方法，其特征在于，操作步骤为： （1）配制铜锌锡硫（Cu-Zn-Sn-S）前驱体溶液： 将二水乙酸锌（ZnCH3COOH2·2H2O），氯化亚铜（CuCl），硫脲（CH4N2S，Tu），五水四氯化锡（SnCl4·5H2O）混合，然后加入乙二醇甲醚（MOE）和二甲基亚砜（DMSO），水浴反应获到Cu-Zn-Sn-S前驱体溶液；前驱体溶液元素设计比例遵循贫铜富锌的原则，组成元素Cu（Zn+Sn）与ZnSn的摩尔比设计比例为0.72和1.14； （2）旋涂-烘烤-低温热处理制备Cu-Zn-Sn-S前驱体薄膜： 将所述Cu-Zn-Sn-S前驱体溶液滴在钼玻璃的四个角落和中间处，待溶液全部覆盖表面后旋涂；待旋涂结束将湿膜烘烤后低温热处理，重复旋涂-烘烤-低温热处理步骤10次得到Cu-Zn-Sn-S前驱体薄膜； 烘烤参数：时间为2min，温度为300℃；低温热处理参数：时间为5min，温度为50℃。

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