上海集成电路材料研究院有限公司柳永勋获国家专利权
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龙图腾网获悉上海集成电路材料研究院有限公司申请的专利电子源器件及其制造方法、集成电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119132912B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411138399.X，技术领域涉及：H01J29/48；该发明授权电子源器件及其制造方法、集成电路是由柳永勋;王诗男;刘强;陈舒静;董锦昕设计研发完成，并于2024-08-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本电子源器件及其制造方法、集成电路在说明书摘要公布了：本申请提供一种电子源器件及其制造方法、集成电路，该电子源器件包括：基板1；以及电子发射单元，所述电子发射单元包括：低电位源区111，沟道区222，高掺杂漏区333，栅极6，电子加速层9，绝缘薄膜10和高电位电子发射极导电薄膜14，其中，所述低电位源区111形成于所述基板1的第一主面，所述沟道区222位于所述低电位源区111的表面，所述高掺杂漏区333位于所述沟道区222的表面，所述电子加速层9位于所述高掺杂漏区333的表面，所述电子加速层9和所述高电位电子发射极导电薄膜14之间设置有所述绝缘薄膜10，所述栅极6位于所述沟道区222的横向外侧。本申请能够提高电子发射效率，降低沟道区的电阻，提高电子源器件的寿命和电子发射稳定性。
本发明授权电子源器件及其制造方法、集成电路在权利要求书中公布了：1.一种电子源器件，其特征在于，所述电子源器件包括： 基板1；以及 电子发射单元， 所述电子发射单元包括： 低电位源区111，沟道区222，高掺杂漏区333，栅极6，电子加速层9，绝缘薄膜10和高电位电子发射极导电薄膜14， 其中， 所述低电位源区111形成于所述基板1的第一主面， 所述沟道区222位于所述低电位源区111的表面， 所述高掺杂漏区333位于所述沟道区222的表面， 所述电子加速层9位于所述高掺杂漏区333的表面， 所述电子加速层9和所述高电位电子发射极导电薄膜14之间设置有所述绝缘薄膜10， 所述栅极6位于所述沟道区222的横向外侧。
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