江西兆驰半导体有限公司侯合林获国家专利权
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龙图腾网获悉江西兆驰半导体有限公司申请的专利复合层及其制备方法、外延片、发光二极管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118943260B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411113999.0，技术领域涉及：H10H20/811；该发明授权复合层及其制备方法、外延片、发光二极管是由侯合林;谢志文;赵文;陈铭胜;文国昇;金从龙设计研发完成，并于2024-08-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本复合层及其制备方法、外延片、发光二极管在说明书摘要公布了：本发明提供一种复合层及其制备方法、外延片、发光二极管，涉及半导体技术领域，该复合层包括过渡层、层叠设置在过渡层上的多个超晶格结构层，超晶格结构层包括周期性交替生长的垒层和阱层；其中，过渡层和垒层均为Si掺杂氮化物层，阱层为非掺杂的氮化物层，过渡层与垒层的厚度比值大于10:1，过渡层与垒层的Si掺杂浓度比值大于3:1，沿靠近过渡层的一端向另一端的方向，不同超晶格结构层中的垒层的Si掺杂浓度逐层减小、阱层的禁带宽度逐层减小。本发明实现了发光效率的提升。
本发明授权复合层及其制备方法、外延片、发光二极管在权利要求书中公布了：1.一种复合层，应用于外延片当中，所述外延片包括衬底，依次层叠在所述衬底上的缓冲层、非掺杂氮化镓层、N型氮化镓层、有源层、P型氮化镓层，其特征在于，所述复合层设置在所述N型氮化镓层与所述有源层之间，所述复合层包括过渡层、层叠设置在所述过渡层上的多个超晶格结构层，所述超晶格结构层包括周期性交替生长的垒层和阱层； 其中，所述过渡层和所述垒层均为Si掺杂氮化物层，所述阱层为非掺杂的氮化物层，所述过渡层与所述垒层的厚度比值大于10:1，所述过渡层与所述垒层的Si掺杂浓度比值大于3:1，沿靠近所述过渡层的一端向另一端的方向，不同所述超晶格结构层中的所述垒层的Si掺杂浓度逐层减小、所述阱层的禁带宽度逐层减小。
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