浙江奥首材料科技有限公司侯军获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江奥首材料科技有限公司申请的专利一种高阶CIS芯片的切割保护液、其制备方法与用途获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118978837B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411027026.5，技术领域涉及：C09D129/10；该发明授权一种高阶CIS芯片的切割保护液、其制备方法与用途是由侯军;张楠;陈兆林;褚雨露设计研发完成，并于2024-07-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高阶CIS芯片的切割保护液、其制备方法与用途在说明书摘要公布了：本申请公开了一种高阶CIS芯片的切割保护液、其制备方法与用途，属于刀轮切割芯片技术领域。以质量份计，切割保护液包括如下组分：30‑130份的保护剂，0.1‑5份的附着力促进剂和0.01‑1份的消泡剂。本申请所用的保护剂中包同时包含有亲水基团和疏水基团，表现出表面活性剂和流平剂的效果，疏水基团能够朝远离芯片的表面延伸，使得保护液形成的膜层具有疏水性，能够避免刀轮切割过程中切割水对膜层的破坏；所形成的膜层耐水时间长、具有高附着力和残留颗粒少的技术效果，进而可以显著提高高阶CIS芯片的成品率和良品率。
本发明授权一种高阶CIS芯片的切割保护液、其制备方法与用途在权利要求书中公布了：1.一种高阶CIS芯片的切割保护液，其特征在于，以质量份计，包括如下组分：30-130份的保护剂，0.1-5份的附着力促进剂和0.01-1份的消泡剂；所述保护剂的结构如下式1所示： 其中，n表示聚合度；R1选自乙基、异丙基、丁基中的任一种；R2、R3、R4分别独立地选自F、Cl、Br、H中的一种或多种。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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