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龙图腾网获悉安徽科谱芯光科技有限公司申请的专利一种含横向耦合腔TCC-VCSEL的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118943885B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411003159.9，技术领域涉及：H01S5/125；该发明授权一种含横向耦合腔TCC-VCSEL的制备方法是由张岚;潘振辉;穆安容;许明设计研发完成，并于2024-07-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种含横向耦合腔TCC-VCSEL的制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种高速直接调制的含横向耦合腔TCC‑VCSEL的制备方法，其中所述VCSEL芯片外延结构以下至上包括:n型GaAs衬底，n型缓冲层,n‑DBR层，包括量子阱和势垒层的有源层，由氧化限制层窗口定义的选择区域砷离子注入第一p‑DBR层,氧化限制层，第二p‑DBR层和高掺杂p接触层。两个相互联接的方型氧化物限制窗口形成正常VCSEL发光窗口和提供光学反馈的横向耦合腔的反馈腔。本申请可以有效控制VCSEL氧化限制窗口的尺寸，尤其是能够精确控制横向耦合腔的尺寸并改善其均匀性,从而能够增加VCSEL带宽，提高良率，可以使低成本的VCSEL激光器满足高速通信领域的需求，降低通信系统的成本。

本发明授权一种含横向耦合腔TCC-VCSEL的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种含横向耦合腔的TCC-VCSEL的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 在n型衬底上生长n缓冲层和n-DBR层； 在所述n-DBR层上生长包括发光量子阱和势垒层的有源层，所述有源层嵌入了1个λ厚度的AlGaAs分离异质结构层，其中λ为VCSEL发光波长； 在所述有源层之上生长第一p-DBR层； 对所述第一p-DBR层进行氧化限制窗口区域外As+离子注入； 其中，所述氧化限制窗口区域被设计为领结形状，包括VCSEL发光区域和横向耦合反馈腔区域； 在被As+离子注入的所述第一p-DBR层上继续生长氧化限制层；在所述氧化限制层上继续生长第二p-DBR层； 在第二p-DBR层继续生长高掺杂p型接触层； 对所述p型接触层、所述第二p-DBR层、所述氧化限制层、所述第一p-DBR层、所述有源层、所述n-DBR层和所述n缓冲层进行台面刻蚀，形成领结型台面结构，所述领结型台面结构包含互相联接的所述VCSEL发光区域和横向耦合反馈腔区域；对所述氧化限制层进行高温湿氧化操作，氧化后形成VCSEL发光窗口和横向耦合的反馈腔，所述VCSEL发光窗口和所述横向耦合的反馈腔相联构成横向耦合腔。

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