买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利一种MEMS超声换能器及其制备方法以及超声换能器阵列获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119281636B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410986228.6，技术领域涉及：B06B1/06；该发明授权一种MEMS超声换能器及其制备方法以及超声换能器阵列是由马波;尤政设计研发完成，并于2024-07-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种MEMS超声换能器及其制备方法以及超声换能器阵列在说明书摘要公布了：本发明属于MEMS超声换能器与三维微纳制造技术领域，具体涉及一种MEMS超声换能器及其制备方法以及超声换能器阵列。本发明中的共形电极能够显著增强腔室中心区外的电场强度，进而显著提高灵敏度并降低驱动电压；TGV玻璃衬底能够显著降低寄生电容并提高灵敏度。进一步的，本发明的共形电极和谐振板或谐振膜的材料可以为金属或合金，与传统的单晶硅或氮化硅等材料相比，能够显著提高器件的机械寿命及可靠性。本发明还提供了所述MEMS超声换能器的制备方法，本发明提供的制备方法能够实现共形电极的高精度3D加工，一致性好、成本低，且适于大规模阵列晶圆级制造，还能兼容ASIC工艺，易于与ASIC实现3D集成。

本发明授权一种MEMS超声换能器及其制备方法以及超声换能器阵列在权利要求书中公布了：1.一种MEMS超声换能器，其特征在于，包括衬底单元和结构单元； 所述衬底单元包括TGV玻璃衬底、位于所述TGV玻璃衬底的上表面的金属下电极、覆盖在所述金属下电极的上表面的绝缘层、位于所述TGV玻璃衬底的下表面的第一凸点底部UBM层和第二凸点底部UBM层、位于所述第一凸点底部UBM层的下表面的第一球栅电极和位于所述第二凸点底部UBM层的下表面的第二球栅电极； 所述TGV玻璃衬底内设置有纵向贯穿所述TGV玻璃衬底的第一通孔电极和第二通孔电极；所述金属下电极与所述第一通孔电极欧姆接触；所述绝缘层的面积大于所述金属下电极的面积；所述第一凸点底部UBM层与所述第一通孔电极欧姆接触；所述第一球栅电极与所述第一凸点底部UBM层欧姆接触；所述第二凸点底部UBM层与所述第二通孔电极欧姆接触；所述第二球栅电极与所述第二凸点底部UBM层欧姆接触； 所述结构单元包括谐振板或谐振膜、共形电极和金属上电极；所述共形电极的下表面为异形表面，且下表面的边缘与所述TGV玻璃衬底的上表面键合，形成微纳腔室；所述金属下电极和绝缘层位于所述微纳腔室中，且所述绝缘层和共形电极不接触； 所述共形电极的边缘在对应所述第二通孔电极的位置处设置有空隙，且所述金属上电极设置在所述空隙处，位于所述TGV玻璃衬底表面和空隙侧壁的共形电极表面；所述金属上电极和所述第二通孔电极欧姆接触，并且金属上电极的边缘与所述共形电极的边缘接触，使共形电极和所述第二通孔电极形成电气连通； 所述谐振板或谐振膜设置在共形电极的上表面； 所述金属下电极与所述金属上电极构成一对驱动电极。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人华中科技大学，其通讯地址为：430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。