中国计量科学研究院李旭获国家专利权
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龙图腾网获悉中国计量科学研究院申请的专利负温度系数热敏电阻温度传感器及制备其的单晶硅基底获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223346291U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421712328.1，技术领域涉及：G01K7/22；该实用新型负温度系数热敏电阻温度传感器及制备其的单晶硅基底是由李旭;孙建平;王志刚;田东辉;李嘉豪;高慧芳;程芳;张毅;陶兴付;李硕;金森林;李适设计研发完成，并于2024-07-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本负温度系数热敏电阻温度传感器及制备其的单晶硅基底在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种负温度系数热敏电阻温度传感器及制备其的单晶硅基底，属于检测领域，热敏电阻温度传感器包括单晶硅基底块和生长在单晶硅基底块的二氧化硅层上的负温度系数热敏薄膜，负温度系数热敏薄膜为Mn‑Co‑Ni‑Cu‑O热敏薄膜，其具有尖晶石结构。本实用新型通过在单晶硅基底进行13厚度预切割，在制备过程中可降低热敏薄膜的面内残余应力，制备出了厚度超过7.7μm的Mn‑Co‑Ni‑Cu‑O热敏薄膜，且热敏薄膜表面完好且与二氧化硅层结合良好，未发生开裂和脱落；其电阻小于500Ω，无需进行退火热处理；相比于现有技术，本实用新型的单晶硅基底可以使热敏薄膜的生产简单高效，生产效率和良品率非常高。
本实用新型负温度系数热敏电阻温度传感器及制备其的单晶硅基底在权利要求书中公布了：1.一种负温度系数热敏电阻温度传感器，特征在于，包括单晶硅基底块和生长在单晶硅基底块的二氧化硅层上的负温度系数热敏薄膜，所述负温度系数热敏薄膜为Mn-Co-Ni-Cu-O热敏薄膜，其具有尖晶石结构。
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