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龙图腾网获悉粤芯半导体技术股份有限公司申请的专利一种深沟槽隔离结构的制备方法及半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118800719B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410937922.9，技术领域涉及：H01L21/762；该发明授权一种深沟槽隔离结构的制备方法及半导体器件是由王宇;郭祝设计研发完成，并于2024-07-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种深沟槽隔离结构的制备方法及半导体器件在说明书摘要公布了：本申请提供了一种深沟槽隔离结构的制备方法及半导体器件，其中，制备方法包括：获取目标衬底，所述目标衬底包括深沟槽结构；对所述目标衬底依次通过炉管工艺和化学气相沉积工艺来生成第一隔离结构之后，将所述目标衬底移动至刻蚀腔；按照预设沉积条件在所述第一隔离结构上沉积出第二隔离结构；按照预设刻蚀条件去除所述第一隔离结构和所述第二隔离结构中所述深沟槽结构的底部对应的隔离部分，以得到待清洗衬底；按照预设清洗条件清洗所述刻蚀腔和所述待清洗衬底，以制备出深沟槽隔离结构。

本发明授权一种深沟槽隔离结构的制备方法及半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种深沟槽隔离结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括： 获取目标衬底，所述目标衬底包括深沟槽结构； 对所述目标衬底依次通过炉管工艺和化学气相沉积工艺来生成第一隔离结构之后，将所述目标衬底移动至刻蚀腔，所述第一隔离结构覆盖所述目标衬底的表面及所述深沟槽结构的侧壁和底部； 按照预设沉积条件在所述第一隔离结构上沉积出第二隔离结构，所述预设沉积条件通过充入沉积气体以及增加刻蚀腔压力和或降低偏置电压的方式，来降低电离所述沉积气体所产生的离子向下轰击的能力，所述第二隔离结构在所述深沟槽结构的顶部对应的隔离部分的厚度大于底部对应的隔离部分的厚度； 按照预设刻蚀条件去除所述第一隔离结构和所述第二隔离结构中所述深沟槽结构的底部对应的隔离部分，以得到待清洗衬底，所述预设刻蚀条件通过充入刻蚀气体以及减小刻蚀腔压力和或增加偏置电压的方式，来增加电离所述刻蚀气体所产生的离子向下轰击的能力，以使对所述深沟槽结构的底部对应的隔离部分去除之后，所述深沟槽结构的顶部对应的剩余隔离部分的厚度符合预设厚度要求； 按照预设清洗条件清洗所述刻蚀腔和所述待清洗衬底，以制备出深沟槽隔离结构。

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