华中科技大学曾成获国家专利权
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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利一种基于周期性相移光栅的薄膜铌酸锂滤波器及相应的膜厚自适应方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN118915228B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202410929159.5,技术领域涉及:G02B6/12;该发明授权一种基于周期性相移光栅的薄膜铌酸锂滤波器及相应的膜厚自适应方法是由曾成;莫振武;夏金松;李炽均设计研发完成,并于2024-07-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于周期性相移光栅的薄膜铌酸锂滤波器及相应的膜厚自适应方法在说明书摘要公布了:本发明属于集成光电子技术领域,公开了一种基于周期性相移光栅的薄膜铌酸锂滤波器及相应的膜厚自适应方法,该器件的铌酸锂薄膜层包括总线连接波导、模式转换器、过渡波导、周期性相移光栅反射器、直通过渡波导、直通连接波导和分支波导;周期性相移光栅反射器由矩形波导以及位于两侧的具有不等宽度的矩形光栅齿突起和矩形光栅齿槽凹陷构成;分布在矩形波导任意一侧的光栅齿每相隔距离L,对应的光栅齿其宽度将发生变化,其它光栅齿的宽度保持不变,由此形成相移。本发明通过对滤波器的细节结构进行改进,能够有效解决电子束曝光设备分辨率受限的情况下,光栅中心反射波长难以精细调控以及窄通道间距波分复用器实际制作难度大的技术问题。
本发明授权一种基于周期性相移光栅的薄膜铌酸锂滤波器及相应的膜厚自适应方法在权利要求书中公布了:1.一种基于周期性相移光栅的薄膜铌酸锂滤波器,其特征在于,从上至下包括铌酸锂薄膜层202和二氧化硅缓冲层203,所述铌酸锂薄膜层202包括总线连接波导101、模式转换器102、过渡波导103、周期性相移光栅反射器104、直通过渡波导105、直通连接波导106和分支波导107,其中,总线连接波导101、模式转换器102、过渡波导103、周期性相移光栅反射器104、直通过渡波导105、直通连接波导106依次连接,分支波导107和总线连接波导101连接在模式转换器102的同一端; 记所述周期性相移光栅反射器104靠近过渡波导103的一端为周期性相移光栅反射器104的输入端,所述周期性相移光栅反射器104靠近直通过渡波导105的另一端为周期性相移光栅反射器104的输出端,所述周期性相移光栅反射器104的输入端指向所述直通过渡波导105的方向为周期性相移光栅反射器104的输入传输方向,则,所述周期性相移光栅反射器104由沿输入传输方向布置的矩形波导以及位于该矩形波导两侧的具有不等宽度的矩形光栅齿突起和矩形光栅齿槽凹陷构成;对于任意一侧,相邻两个光栅齿之间通过一个光栅齿槽间隔,任意一个光栅齿与紧邻的一个光栅齿槽的总宽度等于周期Λ0;该矩形波导一侧的光栅齿与另一侧的光栅齿槽呈相对分布,并且光栅齿的宽度小于等于相应光栅齿槽的宽度,任意一个光栅齿顶部与其相对的另一侧的光栅齿槽底部之间距离均为恒定值w0;从周期性相移光栅反射器104的输入端开始,在周期性相移光栅反射器104的输入传输方向,分布在矩形波导任意一侧的光栅齿每相隔距离L,对应的光栅齿其宽度将发生变化,其它光栅齿的宽度保持不变,由此形成相移;并且,发生宽度变化的光栅齿,其宽度与其他未发生变化的光栅齿的宽度之差为d,其中,d为在之间的任意值。
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