上海集成电路材料研究院有限公司刘强获国家专利权
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龙图腾网获悉上海集成电路材料研究院有限公司申请的专利电子源结构及制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119008363B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410901259.7，技术领域涉及：H01J37/06；该发明授权电子源结构及制作方法是由刘强;王诗男设计研发完成，并于2024-07-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本电子源结构及制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种电子源结构及制作方法，包括：提供第一基板，第一基板上形成有层叠的多孔层和第一导电层；图形化第一导电层和多孔层形成开口；形成钝化层，钝化层填充入开口中，于钝化层中形成凹槽；形成第二导电层，第二导电层并填充入凹槽中与第一导电层电连接；提供第二基板，将第二导电层键合于第二基板；去除第一基板，于多孔层远离第二基板的一侧形成顶电极。本发明在有源层转移前于有源层开口中形成钝化层，钝化层作为支撑层提高有源层的机械强度，提高转移成功率；并且，通过有源层转移，提升了基板的灵活性，基板的材料类型、结构类型、功能类型可以灵活选配，提升了电子源与CMOS系统、MEMS系统等其他辅助功能系统的集成灵活度。
本发明授权电子源结构及制作方法在权利要求书中公布了：1.一种电子源结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供第一基板，所述第一基板上形成有层叠的多孔层和第一导电层； 图形化所述第一导电层和所述多孔层，形成垂向贯穿所述第一导电层并延伸入所述多孔层的开口； 于所述第一导电层远离所述第一基板的一侧形成钝化层，且所述钝化层填充入所述开口中，并于所述钝化层中形成凹槽，所述凹槽显露所述第一导电层； 于所述钝化层远离所述第一基板的一侧形成第二导电层，所述第二导电层并填充入所述凹槽中与所述第一导电层电连接； 提供第二基板，将所述第二导电层键合于所述第二基板； 去除所述第一基板，于所述多孔层远离所述第二基板的一侧形成顶电极，所述顶电极与所述多孔层电连接。
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