中山大学张志鹏获国家专利权
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龙图腾网获悉中山大学申请的专利一种双栅薄膜晶体管驱动的真空冷阴极平板光探测器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118825118B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410879892.0，技术领域涉及：H10F30/223；该发明授权一种双栅薄膜晶体管驱动的真空冷阴极平板光探测器及其制备方法是由张志鹏;蒲仲彬;陈军;邓少芝;许宁生设计研发完成，并于2024-07-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种双栅薄膜晶体管驱动的真空冷阴极平板光探测器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于光探测领域，更具体地，涉及一种双栅薄膜晶体管驱动的真空冷阴极平板光探测器及其制备方法，所述平板光探测器包括光电导阳极基板和冷阴极基板，所述光电导阳极基板包括阳极衬底，设置在阳极衬底上的阳极电极，设置在阳极电极上的光电响应层，所述冷阴极基板包括阴极衬底，设置在阴极衬底上的双栅薄膜晶体管，设置在双栅薄膜晶体管上的冷阴极发射体，所述光电响应层和所述冷阴极发射体通过隔离体相对隔开并保持真空状态，本发明通过电子轰击诱导光电导效应的光电倍增机制和薄膜晶体管亚阈值区电流放大效应的光电倍增机制，提高光探测器的灵敏度，该真空冷阴极平板光探测器还可以实现高分辨率和宽线性动态范围光电探测。
本发明授权一种双栅薄膜晶体管驱动的真空冷阴极平板光探测器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种双栅薄膜晶体管驱动的真空冷阴极平板光探测器，其特征在于，包括光电导阳极基板和双栅薄膜晶体管驱动的冷阴极基板、隔离体5， 光电导阳极基板包括阳极衬底2、阳极电极3和光电响应层4，所述阳极电极3设置在阳极衬底2表面，所述光电响应层4设置在阳极电极3上，所述冷阴极基板包括冷阴极发射体6、顶部栅极7、顶部绝缘层8、源极电极9、漏极电极10、沟道层11、底部绝缘层12、底部栅极13和冷阴极衬底14，所述底部栅极13设置在冷阴极衬底14上，所述底部绝缘层12设置在底部栅极13上，所述沟道层11设置在底部绝缘层12上，所述源极电极9和漏极电极10通过沟道层11分隔开，所述顶部绝缘层8设置在沟道层11上，所述顶部栅极7设置在顶部绝缘层8上，所述冷阴极发射体6设置在顶部栅极7上，所述光电导阳极基板和所述冷阴极基板通过隔离体5隔开，所述光电响应层4与所述冷阴极发射体6之间为真空状态。
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