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龙图腾网获悉江苏第三代半导体研究院有限公司申请的专利Micro-LED器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118867068B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410878820.4，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权Micro-LED器件及其制备方法是由王阳设计研发完成，并于2024-07-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本Micro-LED器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种Micro‑LED器件及其制备方法，该方法包括在衬底上依次形成层叠的N型层、第一发光结构和第一介质层；去除上述膜层的一部分，形成间隔分布的第一凸起、第一凹槽、第二凸起、第二凹槽和第三凸起；在第一凹槽和第二凹槽形成第二介质层；去除至少部分第一介质层和部分第二介质层、露出第一发光结构并形成第一孔，并形成第一P电极；去除第一凹槽上的第二介质层，在第一凹槽槽底依次形成第二发光结构和第二P电极；去除第二凹槽上的第二介质层，并形成第三发光结构和第三P电极；去除第三凸起、第三凸起表面的第一介质层和第二介质层，露出N型层并N电极。采用该方案，保证色彩的纯净度和亮度均匀性，改善发光效率低下和颜色一致性差的问题。

本发明授权Micro-LED器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种Micro-LED器件的制备方法，其特征在于，包括： 提供衬底1，在所述衬底1表面依次形成层叠的N型层2、第一发光结构和第一介质层7； 沿所述衬底1厚度方向去除部分第一介质层7、部分第一发光结构以及部分N型层2，形成间隔分布的第一凸起、第一凹槽11、第二凸起、第二凹槽12和第三凸起； 在所述第一凹槽11和第二凹槽12内形成覆盖所述第一凸起表面及侧面、所述第二凸起表面及侧面和所述第三凸起表面及侧面的第二介质层8； 去除所述第一凸起表面的至少部分第一介质层7和至少部分第二介质层8、露出所述第一发光结构并形成第一孔，在所述第一孔内形成第一P电极33； 去除所述第一凹槽11上的第二介质层8，在所述第一凹槽11的槽底依次形成第二发光结构和第二P电极43；去除所述第二凹槽12上的第二介质层8，在所述第二凹槽12的槽底依次形成第三发光结构和第三P电极53； 其中，所述第二发光结构包括层叠设置的第二修复层44、第二多量子阱层（41）与第二P型层（42），形成所述第二发光结构包括：在所述第一凹槽11的槽底形成所述第二修复层44，在所述第二修复层44上形成所述第二多量子阱层（41），在所述第二多量子阱层（41）表面生长所述第二P型层（42）；和或，所述第三发光结构包括层叠设置的第三修复层54以及第三多量子阱层（51）与第三P型层（52），形成所述第三发光结构包括：在所述第二凹槽12的槽底形成所述第三修复层54，在所述第三修复层54上形成所述第三多量子阱层（51），在所述第三多量子阱层（51）表面生长所述第三P型层（52）； 去除所述第三凸起以及所述第三凸起表面的第一介质层7和第二介质层8，露出所述N型层2，在露出的N型层2上形成N电极6。

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