浙江亚太机电股份有限公司张杰获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉浙江亚太机电股份有限公司申请的专利一种用于比较不同MOS管耗散功率的电路装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223346969U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421505702.0，技术领域涉及：G01R31/00；该实用新型一种用于比较不同MOS管耗散功率的电路装置是由张杰;张淼;虞小平;郑航船;邹卓烨;朱铭达;李鸠斌设计研发完成，并于2024-06-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用于比较不同MOS管耗散功率的电路装置在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种用于比较不同MOS管耗散功率的电路装置。包含MOS管驱动运行部分和表面温升热成像采集部分的两部分；MOS管驱动运行部分包括电源和电路板，测试MOS管布置在电路板上，电路板和电源电连接；表面温升热成像采集部分中包括热成像仪器，热成像仪器用于测量测试MOS管外壳的表面温度。本实用新型通过输入不同频率的驱动信号，使被测MOS管处于工作状态并记录其外壳温度变化，且通过对比不同MOS管在同一个驱动频率下外壳温升的数值，从而选取在所需求驱动频率下的最优MOS管。
本实用新型一种用于比较不同MOS管耗散功率的电路装置在权利要求书中公布了：1.一种用于比较不同MOS管耗散功率的电路装置，其特征在于： 包含MOS管驱动运行部分和表面温升热成像采集部分的两部分；所述MOS管驱动运行部分包括电源（5）和电路板（6），测试MOS管（4）布置在电路板（6）上，电路板（6）和电源（5）电连接；表面温升热成像采集部分中包括热成像仪器（3），热成像仪器（3）用于测量测试MOS管（4）外壳的表面温度； 所述电路板（6）中包括MOS管Q18、电阻RG和电阻RLOAD，PWM驱动信号M1_DRV_PWM经电阻RG连接到MOS管Q18的栅极，MOS管Q18的源极接地，漏极经电阻RLOAD连接直流电源V1的+正极，电源V1的-负极接地。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人浙江亚太机电股份有限公司，其通讯地址为：311203 浙江省杭州市萧山区蜀山街道亚太路1399号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励