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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利电荷耦合型单光子雪崩二极管探测阵列结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118748221B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410848779.6，技术领域涉及：H10F30/225；该发明授权电荷耦合型单光子雪崩二极管探测阵列结构及其制备方法是由刘阳;王利明;尤杰;苗田;胡进;张宁宁;王夏宇;李栋;马瑞;胡辉勇;朱樟明设计研发完成，并于2024-06-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本电荷耦合型单光子雪崩二极管探测阵列结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种电荷耦合型单光子雪崩二极管探测阵列结构及其制备方法，阵列结构包括：Si衬底、第一掺杂类型保护环、第一掺杂类型电极低阻接触区、第二掺杂类型阱区、第二掺杂类型电极低阻接触区、光吸收层、金属互联结构和钝化层。该结构在第一掺杂类型保护环的外围围绕第二掺杂类型阱区，并且第二掺杂类型阱区与光吸收层相接触，单像素内四周的第二掺杂类型阱区、光吸收层和第一掺杂类型电极低阻接触区之间形成环形的电场区域，利用空间位置上的电势差将光吸收层中的光生载流子输运至倍增区域，增大了器件有效光敏区域，在保证器件暗计数参数的情况下提高了阵列的填充因子和光探测效率，解决了光检测效率与填充因子的相互制约问题。

本发明授权电荷耦合型单光子雪崩二极管探测阵列结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种电荷耦合型单光子雪崩二极管探测阵列结构，其特征在于，包括：Si衬底1、第一掺杂类型保护环2、第一掺杂类型电极低阻接触区3、第二掺杂类型阱区4、第二掺杂类型电极低阻接触区5、光吸收层6、金属互联结构7和钝化层8，其中， 所述第一掺杂类型保护环2从所述Si衬底1的第一表面延伸至所述Si衬底1的内部； 所述第一掺杂类型电极低阻接触区3从所述Si衬底1的第一表面延伸至所述第一掺杂类型保护环2的内部，且掺杂浓度大于所述第一掺杂类型保护环2的掺杂浓度； 所述第二掺杂类型阱区4从所述Si衬底1的第一表面延伸至所述Si衬底1的第二表面，且围绕所述第一掺杂类型保护环2； 所述第二掺杂类型电极低阻接触区5从所述Si衬底1的第一表面延伸至所述第二掺杂类型阱区4的内部，且掺杂浓度大于所述第二掺杂类型阱区4的掺杂浓度； 所述光吸收层6位于所述Si衬底1的第二表面，覆盖所述第一掺杂类型保护环2、所述第一掺杂类型电极低阻接触区3、所述第二掺杂类型阱区4和所述第二掺杂类型电极低阻接触区5，且与所述第二掺杂类型阱区4接触； 所述金属互联结构7设置在所述Si衬底1的第一表面，且与所述第一掺杂类型电极低阻接触区3、所述第二掺杂类型电极低阻接触区5相接触； 所述钝化层8位于所述Si衬底1的第一表面且包裹所述金属互联结构7； 所述第一掺杂类型保护环2、所述第一掺杂类型电极低阻接触区3和第二掺杂类型阱区4靠近所述第一掺杂类型保护环2的部分形成单像素区域，若干单像素区域呈阵列分布。

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