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电子科技大学;东莞泽攸精密仪器有限公司李春获国家专利权

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龙图腾网获悉电子科技大学;东莞泽攸精密仪器有限公司申请的专利一种基于二维振镜的DMD无掩模光刻系统及拼接光刻方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN118605089B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202410761179.6,技术领域涉及:G03F7/20;该发明授权一种基于二维振镜的DMD无掩模光刻系统及拼接光刻方法是由李春;朱子成;兰长勇;尹伊设计研发完成,并于2024-06-13向国家知识产权局提交的专利申请。

一种基于二维振镜的DMD无掩模光刻系统及拼接光刻方法在说明书摘要公布了:本发明公开了一种基于二维振镜的DMD无掩膜光刻系统及拼接光刻方法,该系统包括依次设置的光源系统、DMD、偏转系统、投影系统、观察系统和样品台;曝光光源匀光准直整形照射在物面DMD上,DMD生成数字掩膜并反射携带图形信息的光束进入偏转系统,由二维振镜与F‑Theta场镜进行偏转,最后通过套筒透镜和物镜组成的投影系统成像在样品台上涂有光刻胶的基片上,实现光刻曝光,其中DMD平面与像平面共轭成像;本发明通过二维振镜的快速响应,在X轴和Y轴上偏转光束,配合F‑Theta场镜将振镜对光束方向的改变转换成焦点在中间像平面上位置的改变,协同振镜实现像差校正,补偿系统的场曲和畸变。F‑Theta场镜能够提供平场像平面,具有高透过率、大扫描范围、低像差和低F‑Theta畸变的特点;经过套筒透镜与物镜组成的投影系统成像,最终实现在基片上的阵列拼接光刻曝光;该系统无需多轴精密电动位移台也能实现无掩膜拼接光刻,且效率高,结构简单,抗机械干扰能力强,误差小,能准确的进行高精度的拼接光刻。

本发明授权一种基于二维振镜的DMD无掩模光刻系统及拼接光刻方法在权利要求书中公布了:1.一种基于二维振镜的DMD无掩膜光刻系统,其特征在于,包括依次设置的光源系统、DMD、偏转系统、投影系统、观察系统和样品台,所述光源系统中的曝光光源经匀光准直整形照射在物面DMD上,DMD生成数字掩膜并反射携带图形信息的光束进入偏转系统,由其中的二维振镜对光束进行偏转,确保F-Theta场镜将光束方向的改变转换成焦点在中间像平面上位置的改变,最后通过套筒透镜和物镜组成的微缩投影系统成像在样品台上涂有光刻胶的基片上,实现光刻曝光,其中DMD平面与像平面共轭成像。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人电子科技大学;东莞泽攸精密仪器有限公司,其通讯地址为:611731 四川省成都市高新西区西源大道2006号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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