重庆医科大学陈安懿获国家专利权
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龙图腾网获悉重庆医科大学申请的专利一种纳米界面原位生成碳点的制备方法及其电化学发光分析应用获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN118792045B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202410754200.X,技术领域涉及:C09K11/65;该发明授权一种纳米界面原位生成碳点的制备方法及其电化学发光分析应用是由陈安懿;赵敏设计研发完成,并于2024-06-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种纳米界面原位生成碳点的制备方法及其电化学发光分析应用在说明书摘要公布了:本申请涉及化学发光技术领域和生物医药技术领域,更具体地说,它涉及一种纳米界面原位生成碳点的制备方法及其电化学发光分析应用。纳米界面原位生成碳点的制备方法包含以下步骤:S1、制备g‑C3N4;S2、收集g‑C3N4NSs分散液;S3、反应合成g‑C3N4@CDs。纳米界面原位生成碳点的电化学发光分析应用,采用上述g‑C3N4@CDs,制备g‑C3N4@CDs‑Ab2信号标签,制备ECL免疫传感器;构建检测新型冠状病毒SARS‑CoV‑2棘突蛋白的夹心型ECL免疫传感器。本申请利用二维石墨相氮化碳纳米片g‑C3N4NSs为载体,在g‑C3N4NSs载体表面原位生成碳点CDs,制备得到碳点在g‑C3N4NSs载体表面呈现均匀分布的碳点纳米复合物g‑C3N4@CDs,在共反应试剂H2O2存在下,表现出高效的ECL性能。
本发明授权一种纳米界面原位生成碳点的制备方法及其电化学发光分析应用在权利要求书中公布了:1.一种纳米界面原位生成碳点的制备方法,其特征在于,包含以下步骤: S1、制备g-C3N4:将三聚氰胺添加到坩埚中,在马弗炉中加热,制得g-C3N4; S2、收集g-C3N4NSs分散液:将g-C3N4分散在去离子水中,连续超声处理后离心处理,收集上层g-C3N4纳米片分散液,即g-C3N4NSs分散液; S3、反应合成g-C3N4@CDs:取g-C3N4NSs分散液,加入柠檬酸,继续搅拌溶解,得混合溶液;而后将水合肼滴入混合溶液中,搅拌均匀后转移到水热反应釜中加热处理,冷却至室温后进行离心,而后洗涤处理,干燥后得到g-C3N4NSs表面原位生成碳点的纳米复合物,即g-C3N4@CDs。
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