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龙图腾网获悉北京北方华创微电子装备有限公司申请的专利承载装置及半导体加工设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118610145B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410634920.2，技术领域涉及：H01L21/683；该发明授权承载装置及半导体加工设备是由郭红飞;史全宇;靳阳;项宏波;张楠;潘玉蕊设计研发完成，并于2024-05-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本承载装置及半导体加工设备在说明书摘要公布了：本发明提供一种承载装置及半导体加工设备，该承载装置包括包括基座本体，基座本体承载晶圆所在平面为基准面，基座本体具有环形凸部，环形凸部的顶面与基准面平齐，用于支撑并密封晶圆的边缘区域；基座本体还具有低于基准面的第一表面和第二表面，第一表面靠近环形凸部的内周边缘，第二表面位于基座本体的中心区域，基座本体还具有位于第一表面和第二表面之间且朝远离基准面的方向凹陷的第三表面；第一表面、第二表面和第三表面均分布有相连通的气道结构。本方案可以提高晶圆与基座之间的压强分布均匀性，从而可以提高工艺均匀性。

本发明授权承载装置及半导体加工设备在权利要求书中公布了：1.一种承载装置，其特征在于，包括基座本体，所述基座本体承载晶圆所在平面为基准面，所述基座本体具有环形凸部，所述环形凸部的顶面与所述基准面平齐，用于支撑并密封晶圆的边缘区域；所述基座本体还具有低于所述基准面的第一表面和第二表面，所述第一表面靠近所述环形凸部的内周边缘，所述第二表面位于所述基座本体的中心区域，所述基座本体还具有位于所述第一表面和所述第二表面之间且朝远离所述基准面的方向凹陷的第三表面； 所述第一表面、所述第二表面和所述第三表面均分布有相连通的气道结构，在所述基座本体上形成有多个与所述气道结构连通的吸附气孔；其中， 所述第三表面与所述基准面之间的距离是所述第二表面与所述基准面之间的距离的4.5倍至15倍；和或， 所述第三表面与所述基准面之间的距离是所述第一表面与所述基准面之间的距离的4.5倍至15倍；和或 所述第三表面与所述基准面之间的距离与所述第二表面与所述基准面之间的距离的差值大于等于60μm，且小于等于140μm；和或， 所述第三表面与所述基准面之间的距离与所述第一表面与所述基准面之间的距离的差值大于等于60μm，且小于等于140μm。

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