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龙图腾网获悉杭州盾源聚芯半导体科技有限公司申请的专利一种点接触的斜齿硅舟及硅舟斜齿加工方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118335661B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410476912.X，技术领域涉及：H01L21/673；该发明授权一种点接触的斜齿硅舟及硅舟斜齿加工方法是由林霜;周波;丁纺纺;祝军;祝建敏设计研发完成，并于2024-04-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种点接触的斜齿硅舟及硅舟斜齿加工方法在说明书摘要公布了：一种点接触的斜齿硅舟，包括天板、法兰和沟棒，沟棒设有多个斜齿，斜齿设有左侧齿面、右侧齿面、前侧齿面、上齿面和下齿面，左侧齿面与前侧齿面相邻且通过第一圆角面过渡，右侧齿面与前侧齿面相邻且通过第二圆角面过渡，上齿面位于左侧齿面、右侧齿面和前侧齿面上端，下齿面位于左侧齿面、右侧齿面和前侧齿面下端，上齿面与左侧齿面、右侧齿面和前侧齿面之间至少部分位置通过第一曲面过渡，硅片放置在斜齿上时可以实现硅片与斜齿点接触，接触位置会处于第一曲面上或处于第一交界线上，这样通过点接触可以减少对热处理的影响，第一曲面设置在接近水平面的位置上可以提供较大的支撑力。

本发明授权一种点接触的斜齿硅舟及硅舟斜齿加工方法在权利要求书中公布了：1.一种点接触的斜齿（4）硅舟，包括天板（1）、法兰（3）和沟棒（2），所述沟棒（2）设有多个斜齿（4），所述斜齿（4）设有左侧齿面（41）、右侧齿面（42）、前侧齿面（43）、上齿面（44）和下齿面（45），所述左侧齿面（41）与所述前侧齿面（43）相邻且通过第一圆角面（46）过渡，所述右侧齿面（42）与所述前侧齿面（43）相邻且通过第二圆角面（47）过渡，所述上齿面（44）位于所述左侧齿面（41）、所述右侧齿面（42）和所述前侧齿面（43）上端，所述下齿面（45）位于所述左侧齿面（41）、所述右侧齿面（42）和所述前侧齿面（43）下端，所述上齿面（44）与所述左侧齿面（41）、所述右侧齿面（42）和所述前侧齿面（43）之间至少部分位置通过第一曲面（48）过渡，所述第一曲面（48）与所述上齿面（44）之间存在第一交界线（49），在过所述第一交界线（49）长度的中心位置且垂直于所述第一交界线（49）的平面内作所述第一交界线（49）长度的中心位置处所述第一曲面（48）的第一切线（40），所述第一切线（40）处于从与水平面（62）平行的平面到与所述上齿面（44）平行的平面的夹角范围内且包括与水平面（62）平行位置和与所述斜齿（4）面平行位置。

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