广东省大湾区集成电路与系统应用研究院董天宇获国家专利权
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龙图腾网获悉广东省大湾区集成电路与系统应用研究院申请的专利一种半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118198188B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410321742.8，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种半导体器件及其制备方法是由董天宇;亨利·H·阿达姆松;赵雪薇设计研发完成，并于2024-03-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，半导体器件的制备方法包括：提供第一衬底；第一衬底的材料包括硅；在第一衬底的一侧形成第一缓冲层；其中，第一缓冲层包括多层本征锗层，以及位于相邻两层本征锗层之间的位错阻挡层；每一位错阻挡层包括多个刻蚀开口，且相邻两层位错阻挡层的刻蚀开口错位设置；在第一缓冲层远离第一衬底的一侧形成第二缓冲层；在第二缓冲层远离第一衬底的一侧形成半导体器件层；提供第二衬底，将半导体器件层键合在第二衬底的一侧，并去除第一衬底、第一缓冲层和第二缓冲层。本发明实施例提供的技术方案，提高了半导体器件的性能的同时，降低了器件的制造成本。
本发明授权一种半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括： 提供第一衬底；所述第一衬底的材料为硅； 在所述第一衬底的一侧形成第一缓冲层；其中，所述第一缓冲层包括多层本征锗层，以及位于相邻的两层本征锗层之间的位错阻挡层；每一所述位错阻挡层位于相邻的两层本征锗层之间；每一所述位错阻挡层包括多个刻蚀开口，且相邻两层位错阻挡层的刻蚀开口错位设置； 在所述第一缓冲层远离所述第一衬底的一侧形成第二缓冲层；所述第二缓冲层的材料为GaAs； 在所述第二缓冲层远离所述第一衬底的一侧形成半导体器件层； 提供第二衬底，将所述半导体器件层键合在所述第二衬底的一侧，并去除所述第一衬底、所述第一缓冲层和所述第二缓冲层。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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