广州华星光电半导体显示技术有限公司贵丽红获国家专利权
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龙图腾网获悉广州华星光电半导体显示技术有限公司申请的专利阵列基板及显示面板获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN118281009B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202410317575.X,技术领域涉及:H10D86/60;该发明授权阵列基板及显示面板是由贵丽红设计研发完成,并于2024-03-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本阵列基板及显示面板在说明书摘要公布了:本申请公开了一种阵列基板及显示面板,阵列基板包括衬底、第一金属层、栅极绝缘层、第二金属层、第一钝化层、像素电极、第三金属层以及公共电极;第一金属层设置于衬底之上,第一金属层包括栅极;栅极绝缘层设置于衬底之上且覆盖第一金属层;第二金属层设置于栅极绝缘层之上,第二金属层包括源极和漏极;像素电极设置于栅极绝缘层之上,并与漏极电性搭接;第一钝化层设置于栅极绝缘层之上,且覆盖第二金属层和像素电极;第三金属层设置于第一钝化层之上,第三金属层包括第一连接电极和第二连接电极,第二连接电极与栅极电性连接;公共电极设置于第一钝化层之上,公共电极与第一连接电极电性搭接。
本发明授权阵列基板及显示面板在权利要求书中公布了:1.一种阵列基板,其特征在于,所述阵列基板包括: 衬底; 第一金属层,设置于所述衬底之上,所述第一金属层包括栅极; 栅极绝缘层,设置于所述衬底之上且覆盖所述第一金属层; 第二金属层,设置于所述栅极绝缘层之上,所述第二金属层包括源极和漏极; 像素电极,设置于所述栅极绝缘层之上,并与所述漏极电性搭接; 第一钝化层,设置于所述栅极绝缘层之上,且覆盖所述第二金属层和所述像素电极; 第三金属层,设置于所述第一钝化层之上,所述第三金属层包括第一连接电极和第二连接电极,所述第二连接电极与所述栅极电性连接;以及, 公共电极,设置于所述第一钝化层之上,所述公共电极与所述第一连接电极电性搭接。
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