深圳英集芯科技股份有限公司张洞田获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳英集芯科技股份有限公司申请的专利一种功率芯片封装结构获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN223347772U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202420492061.3,技术领域涉及:H01L23/495;该实用新型一种功率芯片封装结构是由张洞田;郭磊设计研发完成,并于2024-03-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种功率芯片封装结构在说明书摘要公布了:本实用新型公开了一种功率芯片封装结构,包括引线框架,所述引线框架包括基岛,所述基岛的底面露出到外界,所述引线框架的长度为D、宽度为E,所述基岛的长度为J、宽度为K,并且2.22≤DJ≤4.25,0.46KE1,使得基岛的面积与整体封装结构的面积之比介于0.108~0.45之间,在封装实践中,该基岛的面积不过大也不过小,既能有效散热,又能使得整体封装结构保持合理尺寸以便于封装。
本实用新型一种功率芯片封装结构在权利要求书中公布了:1.一种功率芯片封装结构,其特征在于,包括: 引线框架,所述引线框架包括基岛11,所述基岛11的底面露出到外界,所述引线框架的长度为D、宽度为E,所述基岛11的长度为J、宽度为K,并且2.22≤DJ≤4.25,0.46≤KE1。
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