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龙图腾网获悉华南理工大学申请的专利一种垂直型肖特基二极管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118136690B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410258920.7，技术领域涉及：H10D8/60；该发明授权一种垂直型肖特基二极管及其制备方法是由蒋华杏;田勇;陈志坚;李斌设计研发完成，并于2024-03-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种垂直型肖特基二极管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种垂直型肖特基二极管及其制备方法，涉及半导体器件，针对现有技术中反向击穿电压与正向导通电阻的矛盾提出本方案。在漂移层和衬底外设有氧化层以电性隔绝阳极；所述氧化层的底部厚度大于侧壁厚度。其优点在于：仅利用N型掺杂材料实现器件，避免了P型掺杂的引入，工艺方法相对简单。沟槽的深度足够大，可深达1至20μm，形成深沟槽结构。利用深沟槽结构将反向阻断时的电场延伸到整个漂移层，使得击穿特性主要依赖于漂移层厚度而减弱了对掺杂浓度的依赖。因此，可以进一步选取更高浓度的漂移层来保证更优的正向导通特性，最终实现了接近矩形的均匀电场分布，最大化提升器件的特性，击穿时平均电场可达2.34MVcm，高于现有水平。

本发明授权一种垂直型肖特基二极管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种垂直型肖特基二极管，在漂移层150和衬底120外设有氧化层130以电性隔绝阳极；其特征在于，所述氧化层130的侧壁132厚度小于底部131厚度； 具体结构包括从上至下依次层叠设置的顶金属层160、漂移层150、衬底120和底金属层110；底金属层110与衬底120欧姆接触，顶金属层160与漂移层150肖特基接触；漂移层150内设有若干纵向延伸的沟槽，所述沟槽将顶金属层160和漂移层150从上至下完全贯穿并延伸进衬底120内，以使漂移层150隔绝分离成若干纵向延伸的子通道；设置氧化层130覆盖所述顶金属层160、漂移层150和衬底120的外露面，氧化层130在顶金属层160上方开设天窗以露出顶金属层160上端面全部或部分面积；设置电流扩展层140覆盖氧化层130、顶金属层160的外露面； 所述衬底120和漂移层150均为氮化镓基、或均为碳化硅基、或均为氧化镓基的N型掺杂，且所述衬底120的掺杂浓度高于漂移层150。

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