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龙图腾网获悉惠科股份有限公司申请的专利阵列基板及其制备方法、显示面板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118073363B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410080866.1，技术领域涉及：H10D86/60；该发明授权阵列基板及其制备方法、显示面板是由蒲洋;叶利丹设计研发完成，并于2024-01-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本阵列基板及其制备方法、显示面板在说明书摘要公布了：本申请涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板，该制备方法包括：在衬底基板上依次沉积形成图案化的第一金属层、栅绝缘层、第一半导体层；在第一半导体层上形成牺牲层；在牺牲层上沉积形成第二半导体层；在第二半导体层上形成透明的第二金属层；在第二金属层上涂布光阻层，对光阻层曝光显影，形成光阻图案；以光阻图案为遮挡对第二金属层进行湿法刻蚀；以光阻图案为遮挡对第二半导体层至第一半导体层之间的膜层进行干法刻蚀，以将第一半导体层蚀刻掉部分厚度；采用激光照射沟道区对应的牺牲层，将牺牲层分解；剥离掉沟道区对应的第二半导体层、第二金属层及光阻图案。本申请可以简化黄光制程工艺，节约制作成本。

本发明授权阵列基板及其制备方法、显示面板在权利要求书中公布了：1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括： 在衬底基板上形成图案化的第一金属层，所述第一金属层包括栅极； 在所述第一金属层上沉积形成栅绝缘层； 在所述栅绝缘层上沉积形成第一半导体层； 在所述第一半导体层上形成牺牲层； 在所述牺牲层上沉积形成第二半导体层； 在所述第二半导体层上形成透明的第二金属层； 在所述第二金属层上涂布光阻层，对所述光阻层曝光显影，形成光阻图案； 以所述光阻图案为遮挡对所述第二金属层进行湿法刻蚀，以形成的源极、漏极及位于所述源极和所述漏极之间的沟道区，且所述源极、所述沟道区及所述漏极之间分别形成有间隙； 以所述光阻图案为遮挡对所述第二半导体层至所述第一半导体层之间的膜层进行干法刻蚀，以将所述沟道区以外未被所述光阻图案和所述第二金属层遮挡的膜层蚀刻干净，且将所述间隙对应的所述第一半导体层蚀刻掉部分厚度； 采用激光照射所述沟道区对应的牺牲层，使得激光经所述栅极反射后聚焦在所述牺牲层，以将所述栅极对应的所述沟道区上方的牺牲层分解； 剥离掉所述沟道区对应的第二半导体层、第二金属层及光阻图案。

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