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龙图腾网获悉粤芯半导体技术股份有限公司申请的专利金属连接孔及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117577583B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311834293.9，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权金属连接孔及其形成方法是由孟凡顺;阮杰平;舒思桅;何鑫设计研发完成，并于2023-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本金属连接孔及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种金属连接孔及其形成方法，通过在第二介质层和第三介质层中间增加第二刻蚀停止层，也即缓冲层，在刻蚀上层金属层沟槽时，利用第二刻蚀停止层的阻挡作用，避免上层金属层沟槽直角处的第二介质层被等离子体过刻蚀，从而避免形成倾斜的金属连接孔形貌。同时，第二刻蚀停止层可以定义上层金属层沟槽的深度，也即上层金属的深度，同理，第二刻蚀停止层也可以定义金属连接孔的深度，避免利用刻蚀时间和刻蚀速率这两个不稳定的参数控制第二沟槽的深度和金属连接孔的深度。

本发明授权金属连接孔及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种金属连接孔的形成方法，其特征在于，包括： 提供一衬底，所述衬底上形成有第一介质层和位于所述第一介质层中的下层金属层，在所述下层金属层和所述第一介质层上依次形成有第一刻蚀停止层、第二介质层、第二刻蚀停止层、第三介质层； 形成第一沟槽和第一通孔，所述第一沟槽贯穿所述第三介质层并停止在所述第二刻蚀停止层上，所述第一通孔贯穿所述第二刻蚀停止层和所述第二介质层并停止在所述第一刻蚀停止层上，所述第一沟槽和所述第一通孔连通； 刻蚀所述第一沟槽形成第二沟槽，同时刻蚀所述第一通孔形成第二通孔，所述第二沟槽贯穿所述第三介质层和第二刻蚀停止层，所述第二通孔贯穿所述第二介质层和所述第一刻蚀停止层并暴露出所述下层金属层，所述第二沟槽构成上层金属层沟槽，所述第二通孔构成金属连接孔； 其中，形成所述第一沟槽和所述第一通孔的步骤包括： 在所述第三介质层上依次形成第四介质层、图形化的阻挡层、抗反射层和图形化的光刻胶层； 以图形化的光刻胶层为掩膜，刻蚀所述抗反射层和所述第四介质层以形成第一开口，所述第一开口贯穿所述抗反射层和所述第四介质层并暴露出第三介质层； 以图形化的光刻胶层为掩膜，继续刻蚀第三介质层和第二刻蚀停止层，以形成第二开口，所述第二开口为第一开口在第三介质层和第二刻蚀停止层中的延伸； 去除所述图形化的光刻胶层和所述抗反射层，暴露出所述图形化的阻挡层中的第三开口； 以所述图形化的阻挡层为掩膜，刻蚀所述第四介质层和所述第三介质层形成第一沟槽，刻蚀所述第二介质层形成第一通孔。

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