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龙图腾网获悉东莞理工学院申请的专利一种提高Sb2Se3薄膜太阳电池光伏性能的背界面修饰方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117790623B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311746986.2，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种提高Sb2Se3薄膜太阳电池光伏性能的背界面修饰方法是由林俊辉;赵晓芳;唐穗谷;刘华珠;孟昭光;郑浩然设计研发完成，并于2023-12-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种提高Sb2Se3薄膜太阳电池光伏性能的背界面修饰方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种提高Sb2Se3薄膜太阳电池光伏性能的背界面修饰方法，首先，用于制备Sb2Se3薄膜太阳电池器件的Mo基底先用乙醇、洗涤剂和去离子水清洗。清洗后的Mo基底在空气流下在炉中退火以生长MoO2调控层。另外，用一个未退火的Mo基底制备太阳电池作为对照组，最后通过一系列器件性能测试，有效降低了MoSe2界面层厚度及背接触势垒。本发明采用了空气退火工艺对太阳电池器件的Mo基底进行处理，修饰电池器件中MoSb2Se3背界面的接触特性，提高了基于底衬结构的Sb2Se3薄膜太阳电池的光电转换效率。

本发明授权一种提高Sb2Se3薄膜太阳电池光伏性能的背界面修饰方法在权利要求书中公布了：1.一种提高Sb2Se3薄膜太阳电池光伏性能的背界面修饰方法，其特征在于，包括如下步骤： 步骤S1，MoO2调控层的制备； a1用于制备Sb2Se3薄膜太阳电池器件的Mo基底先用乙醇、洗涤剂和去离子水清洗； b1清洗后的Mo基底在空气流下在炉中退火以生长MoO2调控层； 步骤S2，电池器件中的Sb2Se3吸收层制备； 在多种Mo基底上通过射频磁控溅射的工艺方法制备Sb前驱体薄膜，Mo基底上制备的Sb前驱体薄膜放置在热处理炉进行硒化处理制备Sb2Se3吸收层； 步骤S3，Sb2Se3薄膜太阳电池的制备； a3在多个样品上，通过化学水浴法分别制备CdS缓冲层； b3在制备完CdS以后，对薄膜进行干燥处理； c3将Sb2Se3CdS异质结在真空状态下进行退火处理； d3在CdS上采用磁控溅射的方法制备ITO层； e3用热蒸发的方法制备太阳电池器件的前电极； 步骤S4，Sb2Se3薄膜太阳电池器件性能表征； 对制备的多个器件，进行J-V曲线，变温暗态的J-V曲线，CV-DLCP及导纳谱的测试，进行相关性能的表征。

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