长春理工大学范杰获国家专利权
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龙图腾网获悉长春理工大学申请的专利一种GaAs/GaN基二维光子晶体材料及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117647917B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311520546.5，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权一种GaAs/GaN基二维光子晶体材料及其制备方法是由范杰;侯慧龙;邹永刚;付曦瑶;石琳琳;徐英添;王海珠;兰云萍;马晓辉设计研发完成，并于2023-11-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种GaAs/GaN基二维光子晶体材料及其制备方法在说明书摘要公布了：一种GaAsGaN基二维光子晶体材料及其制备方法，属于半导体光电子技术领域。本发明制备方法包括采用全息曝光系统双曝光方法在光刻胶上制备光子晶体点阵图案，采用干法蚀刻复合掩模进行光子晶体点阵图案转移，基于硬掩模图案进行干法刻蚀获得二维光子晶体材料。还提供了通过该制备方法得到的GaAsGaN基二维光子晶体材料及应用。采用本发明制备方法，可以在基片表面获得深宽比较高、侧壁更加陡直、周期性形貌良好的二维光子晶体结构，避免全息曝光系统驻波效应导致正弦形形貌的缺点，对二维光子晶体的性能提升以及用于大规模制备有着积极的作用。
本发明授权一种GaAs/GaN基二维光子晶体材料及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于全息曝光系统的GaAsGaN基二维光子晶体材料的制备方法，其特征在于包括采用全息曝光系统双曝光方法在光刻胶上制备光子晶体点阵图案，采用干法蚀刻复合掩模进行光子晶体点阵图案转移，基于硬掩模图案进行干法刻蚀获得二维光子晶体材料； 所述复合掩模包括保护层作为基片的掩模、金属薄膜层作为保护层的掩模，以及光刻胶作为金属薄膜层的掩模。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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